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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910113942.3 (22)申请日 2019.02.14 (71)申请人 芜湖东源新农村开发股份有限公司 地址 241300 安徽省芜湖市南陵县南翔路 118号 (72)发明人 汪锡文裴宝平邱许凤赖本智 (51)Int.Cl. A01G 31/00(2018.01) A01G 24/23(2018.01) A01G 24/25(2018.01) A01G 24/10(2018.01) A01G 24/20(2018.01) (54)发明名称 提高蝴蝶兰幼苗移植成活率的方。
2、法 (57)摘要 本发明公开了一种提高蝴蝶兰幼苗移植成 活率的方法, 包括: a、 将蝴蝶兰幼苗种植于8000- 12000lux的光照下进行培养5个月得到小苗; b、 将小苗置于12000-15000lux的光照下进行培养1 个月得到中苗; c、 将中苗置于15000-18000lux的 光照下进行培养; 其中, 上述各步培养均在培养 基质中进行, 培养基质通过以下方法制备而得: 1) 将树皮碾碎, 接着用水浸泡后进行密封发酵, 然后进行干燥以得到灭虫树皮; 2) 将椰子皮碾碎 后于水中浸泡, 然后干燥以得到脱盐椰子皮; 3) 将纳米二氧化钛、 石墨烯、 淀粉和水进行糊化处 理得到糊化物; 。
3、4) 将木炭块、 灭虫树皮、 脱盐椰子 皮、 糊化物进行混合以得到防止蝴蝶兰烂根的培 养基质。 该方法能够提高蝴蝶兰幼苗的移植成活 率。 权利要求书1页 说明书4页 CN 109662017 A 2019.04.23 CN 109662017 A 1.一种提高蝴蝶兰幼苗移植成活率的方法, 其特征在于, 包括: a、 将蝴蝶兰幼苗种植于8000-12000lux的光照下进行培养5个月得到小苗; b、 将所述小苗置于12000-15000lux的光照下进行培养1个月得到中苗; c、 将所述中苗置于15000-18000lux的光照下进行培养; 其中, 上述各步培养均在培养基质中进行, 所述培养基质。
4、通过以下方法制备而得: 1) 将树皮碾碎, 接着用水浸泡后进行密封发酵, 然后进行干燥以得到灭虫树皮; 2) 将椰子皮碾碎后于水中浸泡, 然后干燥以得到脱盐椰子皮; 3) 将纳米二氧化钛、 石墨烯、 淀粉和水进行糊化处理得到糊化物; 4) 将木炭块、 所述灭虫树皮、 脱盐椰子皮、 糊化物进行混合以得到所述防止蝴蝶兰烂根 的培养基质。 2.根据权利要求1所述的方法, 其中, 在步骤1) 中, 所述浸泡满足以下条件: 浸泡温度为 15-35, 浸泡时间为2-4h。 3.根据权利要求1所述的方法, 其中, 在步骤1) 中, 所述密封发酵满足以下条件: 发酵温 度为40-50, 发酵时间为8-12h。。
5、 4.根据权利要求1所述的方法, 其中, 在步骤2) 中, 所述浸泡满足以下条件: 浸泡温度为 15-35, 浸泡时间为2-4天。 5.根据权利要求1所述的方法, 其中, 在步骤3) 中, 所述纳米二氧化钛、 石墨烯、 淀粉和 水的重量比为10: 1-3: 20-30: 40-60。 6.根据权利要求1所述的方法, 其中, 在步骤3) 中, 所述糊化处理满足以下条件: 糊化温 度为30-40, 糊化时间为3-5h。 7.根据权利要求1所述的方法, 其中, 所述纳米二氧化钛的平均粒径为40-60nm。 8.根据权利要求1所述的方法, 其中, 在步骤4) 中, 所述木炭块、 灭虫树皮、 脱盐椰子皮。
6、、 糊化物的重量比为20: 15-20: 60-80: 30-50。 9.根据权利要求1所述的方法, 其中, 所述树皮选自松树皮、 杉树皮和栎树皮中的至少 一者。 10.根据权利要求1所述的方法, 其中, 在步骤a-c中, 所述培养均满足以下条件: 培养温 度为25-30, 相对湿度为60-70%。 权利要求书 1/1 页 2 CN 109662017 A 2 提高蝴蝶兰幼苗移植成活率的方法 0001 技术领域 0002 本发明涉及蝴蝶兰培养, 具体地, 涉及一种提高蝴蝶兰幼苗移植成活率的方法。 0003 背景技术 0004 蝴蝶兰 (Phalaenopsis aphrodite Rchb. 。
7、F. ) 为兰科蝴蝶兰属, 原产于亚热带雨 林地区, 为附生性兰花。 蝴蝶兰白色粗大的气根露在叶片周围, 除了具有吸收空气中养分的 作用外, 还有生长和光合作用。 新春时节, 蝴蝶兰植株从叶腋中抽出长长的花梗, 并且开出 形如蝴蝶飞舞般的花朵, 深受花迷们的青睐, 素有 “洋兰王后” 之称。 分布在泰国、 菲律宾、 马 来西亚、 印度尼西亚, 及中国台湾。 0005 蝴蝶兰的栽培基质的主料一般可以是水苔、 树皮、 椰子皮或泡沫塑料: 1) 水苔是栽培蝴蝶兰最常用的基质之一。 水苔是一种苔藓植物, 柔软, 手感好。 水苔吸 水力极强, 吸水量相当于自身重量的15至20倍, 且保水时间较长, 保水。
8、性能好。 水苔以粗长 干净为上品。 种植蝴蝶兰时, 一般不与其他基质混用, 单用为好。 用前用清水浸泡几个小时 并去除杂质, 用手挤去水分即可使用。 用量大时, 可用甩干机甩干, 简便易行。 水苔的缺点是 易腐烂, 一般栽种一年左右应更换新的, 进而限制了其使用的范畴。 0006 2) 树皮一般选用松树、 杉树及栎树皮, 碎成0.5厘米至1.5厘米大小的颗粒。 树皮通 气性好, 耐腐烂, 但保水性差一些。 用树皮作基质时要注意, 表面与盆内干燥程度差异较大, 表面看上去已经干了, 但盆内还很湿, 如不加注意易引起烂根。 0007 3) 椰子皮切成小块, 通气性、 保水性都还不错。 椰子皮可以单。
9、用, 也可以同树皮与 木炭块混合使用。 但是椰子皮腐化速度快, 一般半年左右便需要尽心更换。 0008 4) 可将泡沫塑料掰成小块, 作为花盆底部填充物。 但要注意, 有的泡沫塑料有毒, 对蝴蝶兰生长有害。 也可用碎砖瓦作填充物, 其优点是吸水及透气好, 但易滋生病虫。 0009 发明内容 0010 本发明的目的是提供一种提高蝴蝶兰幼苗移植成活率的方法, 该方法能够提高蝴 蝶兰幼苗移植成活率进而防止植株烂根情形的发生, 同时该方法中的培养基质的使用寿命 长, 进而降低了成本。 0011 为了实现上述目的, 本发明提供了一种提高蝴蝶兰幼苗移植成活率的方法, 包括: a、 将蝴蝶兰幼苗种植于800。
10、0-12000lux的光照下进行培养5个月得到小苗; b、 将所述小苗置于12000-15000lux的光照下进行培养1个月得到中苗; c、 将所述中苗置于15000-18000lux的光照下进行培养; 其中, 上述各步培养均在培养基质中进行, 所述培养基质通过以下方法制备而得: 1) 将树皮碾碎, 接着用水浸泡后进行密封发酵, 然后进行干燥以得到灭虫树皮; 说明书 1/4 页 3 CN 109662017 A 3 2) 将椰子皮碾碎后于水中浸泡, 然后干燥以得到脱盐椰子皮; 3) 将纳米二氧化钛、 石墨烯、 淀粉和水进行糊化处理得到糊化物; 4) 将木炭块、 灭虫树皮、 脱盐椰子皮、 糊化物。
11、进行混合以得到防止蝴蝶兰烂根的培养基 质。 0012 在上述技术方案中, 本发明利用既利用了树皮优异的通气、 椰子皮的保水性、 木炭 块吸附有害物质的特性、 纳米二氧化钛与石墨烯抗菌杀菌的特性, 进而保证了该培养基质 即具有优异的通气性、 保水性, 还具有耐腐蚀和抗烂根的性质, 从而确保了蝴蝶兰幼苗在移 植后具有较高的成活率; 同时该方法中的培养基质的使用寿命长, 进而降低了成本。 0013 本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。 0014 具体实施方式 0015 以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。 应当理解的是, 此处所描述的具体 实施方式仅用于说明和解释本发明。
12、, 并不用于限制本发明。 0016 本发明提供了一种提高蝴蝶兰幼苗移植成活率的方法, 包括: a、 将蝴蝶兰幼苗种植于8000-12000lux的光照下进行培养5个月得到小苗; b、 将所述小苗置于12000-15000lux的光照下进行培养1个月得到中苗; c、 将所述中苗置于15000-18000lux的光照下进行培养; 其中, 上述各步培养均在培养基质中进行, 所述培养基质通过以下方法制备而得: 1) 将树皮碾碎, 接着用水浸泡后进行密封发酵, 然后进行干燥以得到灭虫树皮; 2) 将椰子皮碾碎后于水中浸泡, 然后干燥以得到脱盐椰子皮; 3) 将纳米二氧化钛、 石墨烯、 淀粉和水进行糊化处。
13、理得到糊化物; 4) 将木炭块、 灭虫树皮、 脱盐椰子皮、 糊化物进行混合以得到防止蝴蝶兰烂根的培养基 质。 0017 在上述方法的步骤1) 中, 浸泡的具体条件可以在宽的范围内选择, 但是为了进一 步灭杀树皮中虫卵以提高蝴蝶兰幼苗的移植成活率, 优选地, 在步骤1) 中, 浸泡满足以下条 件: 浸泡温度为15-35, 浸泡时间为2-4h。 0018 在上述方法的步骤1) 中, 密封发酵的具体条件可以在宽的范围内选择, 但是为了 进一步灭杀树皮中虫卵以提高蝴蝶兰幼苗的移植成活率, 优选地, 在步骤1) 中, 密封发酵满 足以下条件: 发酵温度为40-50, 发酵时间为8-12h。 0019 在。
14、上述方法的步骤2) 中, 浸泡的具体条件可以在宽的范围内选择, 但是为了进一 步脱盐以提高蝴蝶兰幼苗的移植成活率, 优选地, 在步骤2) 中, 浸泡满足以下条件: 浸泡温 度为15-35, 浸泡时间为2-4天。 0020 在上述方法的步骤3) 中, 各物料的用量可以在宽的范围内选择, 但是为了进一步 提高培养基质的灭菌和抗腐蚀的性能以提高蝴蝶兰幼苗的移植成活率, 优选地, 在步骤3) 中, 纳米二氧化钛、 石墨烯、 淀粉和水的重量比为10: 1-3: 20-30: 40-60。 0021 在上述方法的步骤3) 中, 糊化处理的具体条件可以在宽的范围内选择, 但是为了 进一步提高糊化物与其他组分。
15、之间的融合性以提高蝴蝶兰幼苗的移植成活率, 优选地, 在 步骤3) 中, 糊化处理满足以下条件: 糊化温度为30-40, 糊化时间为3-5h。 说明书 2/4 页 4 CN 109662017 A 4 0022 在上述方法的步骤3) 中, 纳米二氧化钛的平均粒径可以在宽的范围内选择, 但是 为了进一步提高培养基质的灭菌和抗腐蚀的性能以提高蝴蝶兰幼苗的移植成活率, 优选 地, 纳米二氧化钛的平均粒径为40-60nm。 0023 在上述方法的步骤4) 中, 各组分的用量可以在宽的范围内选择, 但是为了进一步 提高培养基质的通气、 保水、 耐腐蚀和抗菌的性能以提高蝴蝶兰幼苗的移植成活率, 优选 地,。
16、 在步骤4) 中, 木炭块、 灭虫树皮、 脱盐椰子皮、 糊化物的重量比为20: 15-20: 60-80: 30- 50。 0024 在上述方法中, 树皮的具体种类可以在宽的范围内选择, 但是为了进一步提高培 养基质的通气、 保水、 耐腐蚀和抗菌的性能以提高蝴蝶兰幼苗的移植成活率, 优选地, 树皮 选自松树皮、 杉树皮和栎树皮中的至少一者。 0025 在本发明的步骤a-c中, 温度和湿度可以在宽的范围内选择, 但是为了进一步提高 蝴蝶兰幼苗的移植成活率以及便于蝴蝶兰的生长, 所述培养均满足以下条件: 培养温度为 25-30, 相对湿度为60-70%。 0026 以下将通过制备例对本发明进行详细。
17、描述。 0027 制备例1 1) 将树皮 (松树皮) 碾碎, 接着用水浸泡 (浸泡温度为25, 浸泡时间为3h) 后进行密封 发酵 (发酵温度为45, 发酵时间为10h) , 然后进行干燥以得到灭虫树皮; 2) 将椰子皮碾碎后于水中浸泡 (浸泡温度为25, 浸泡时间为3天) , 然后干燥以得到脱 盐椰子皮; 3) 将纳米二氧化钛 (平均粒径为50nm) 、 石墨烯、 淀粉和水按照10: 2: 25: 45的重量比进 行糊化处理 (糊化温度为35, 糊化时间为4h) 得到糊化物; 4) 将木炭块、 灭虫树皮、 脱盐椰子皮、 糊化物按照20: 18: 70: 40的重量比进行混合以得 到防止蝴蝶兰。
18、烂根的培养基质A1。 0028 制备例2 1) 将树皮 (杉树皮) 碾碎, 接着用水浸泡 (浸泡温度为15, 浸泡时间为4h) 后进行密封 发酵 (发酵温度为40, 发酵时间为12h) , 然后进行干燥以得到灭虫树皮; 2) 将椰子皮碾碎后于水中浸泡 (浸泡温度为15, 浸泡时间为4天) , 然后干燥以得到脱 盐椰子皮; 3) 将纳米二氧化钛 (平均粒径为40nm) 、 石墨烯、 淀粉和水按照10: 1: 20: 40的重量比进 行糊化处理 (糊化温度为30, 糊化时间为5h) 得到糊化物; 4) 将木炭块、 灭虫树皮、 脱盐椰子皮、 糊化物按照20: 15: 60: 30的重量比进行混合以得。
19、 到防止蝴蝶兰烂根的培养基质A2。 0029 制备例3 1) 将树皮 (栎树皮) 碾碎, 接着用水浸泡 (浸泡温度为35, 浸泡时间为2h) 后进行密封 发酵 (发酵温度为50, 发酵时间为8h) , 然后进行干燥以得到灭虫树皮; 2) 将椰子皮碾碎后于水中浸泡 (浸泡温度为35, 浸泡时间为2天) , 然后干燥以得到脱 盐椰子皮; 3) 将纳米二氧化钛 (平均粒径为60nm) 、 石墨烯、 淀粉和水按照10: 3: 30: 60的重量比进 行糊化处理 (糊化温度为40, 糊化时间为3h) 得到糊化物; 说明书 3/4 页 5 CN 109662017 A 5 4) 将木炭块、 灭虫树皮、 脱。
20、盐椰子皮、 糊化物按照20: 20: 80: 50的重量比进行混合以得 到防止蝴蝶兰烂根的培养基质A3。 0030 检测例1 将斑叶蝴蝶兰组织培养得到的幼苗种植于上述制备例的培养基质中, 种植温度为25- 30, 相对湿度为60-70%; 在种植满5个月之前, 光照强度为8000-12000lux, 在种植5-6个月 之间, 光照强度为12000-15000lux, 在种植6个月后, 光照强度为12000-15000lux。 分别于8 个月后、 12个月和16个月和24个月后, 统计斑叶蝴蝶兰的成活情况, 主要统计烂根率, 具体 见表1。 0031 表1 通过上述制备例可以看出, 本申请得到的。
21、培养基质能够有效地抑制蝴蝶兰烂根的情形 的发生, 同时还具有较长的使用寿命, 进而降低了蝴蝶兰的培养成本。 0032 以上详细描述了本发明的优选实施方式, 但是, 本发明并不限于上述实施方式中 的具体细节, 在本发明的技术构思范围内, 可以对本发明的技术方案进行多种简单变型, 这 些简单变型均属于本发明的保护范围。 0033 另外需要说明的是, 在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征, 在不矛 盾的情况下, 可以通过任何合适的方式进行组合, 为了避免不必要的重复, 本发明对各种可 能的组合方式不再另行说明。 0034 此外, 本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合, 只要其不违背本 发明的思想, 其同样应当视为本发明所公开的内容。 说明书 4/4 页 6 CN 109662017 A 6 。
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