光谱学与光谱分析
2018年 38卷 01期
刊出日期:2018-01-01 论文
21 GaN在辐射场中的物理特性和光谱研究 尹文怡1,刘玉柱1,2*,林 华1,李炳生3*,秦朝朝4 DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2018)01-0021-05采用密度泛函理论的B3LYP方法, 在6-311G++(d,p)基组水平上优化了不同外电场(0~0.025 a.u.)下氮化镓分子的基态稳定构型, 在此基础上利用同样的方法计算了氮化镓分子的分子结构、偶极矩、总能量、能隙以及红外光谱, 拉曼光谱, 紫外-可见吸收光谱强度。结果表明, 分子的结构的变化与电场大小呈现强烈的依赖关系。随着正向外加电场的增加, GaN分子键长不断减小, 电偶极距不断减小, 分子总能量不断增大, 分子能隙不断减小, 红外光谱吸收峰出现蓝移现象, 拉曼光谱出现蓝移现象。随着外电场的加强, 分子紫外-可见吸收光谱振子强度出现先减小后增大再减小的反复变化, 其波峰则出现红移现象。 2018 Vol. 38 (01): 21-25 [摘要] ( 274 ) RICH HTML PDF(2018 KB) ( 428 ) 212 铜铅离子胁迫下玉米污染程度的光谱识别 郭 辉1,2,杨可明1*,张文文1,刘 聪1,夏 天1 DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2018)01-0212-06重金属铜离子(Cu2+)与铅离子(Pb2+)污染对玉米叶片光谱的影响微弱、隐蔽而难于探测。研究中设置不同浓度Cu2+, Pb2+胁迫的玉米盆栽实验,测定了玉米叶片光谱、叶片中Cu2+, Pb2+含量与叶绿素相对含量,分析了Cu2+, Pb2+污染胁迫下玉米叶片光谱响应特征,并选取480~670与670~750 nm范围来进行分析,在光谱维中定义了光谱微分差信息熵指数与在频率域中通过谐波分析提取了前三次谐波振幅(c1, c2与c3)指数,并用所定义的指数探测分别受Cu2+, Pb2+胁迫玉米叶片光谱微弱差异。实验结果表明,在480~670与670~750 nm范围内,玉米叶片中重金属离子浓度越大,其光谱微分差信息熵就越大;在480~670 nm波段,谐波分解后第一谐波振幅c1与第二谐波振幅c2可用于识别Cu2+, Pb2+污染程度;在670~750 nm波段,第一谐波振幅c1、第二谐波振幅c2与第三谐波振幅c3可用于识别Cu2+污染程度,而c2则可以识别Pb2+污染程度,污染胁迫越大振幅越大。在480~670与670~750 nm波段内,光谱微分差信息熵与前三次谐波振幅可作为识别玉米受Cu2+, Pb2+污染胁迫程度的指数,从光谱维与频率域两种维度来识别玉米受Cu2+, Pb2+胁迫程度的方法可行,文中定义的两类指数可稳健、可靠地探测与识别玉米受Cu2+, Pb2+影响所产生的光谱微弱差异,研究结果对利用高光谱来探测植被受重金属污染胁迫程度具有一定的参考价值。 2018 Vol. 38 (01): 212-217 [摘要] ( 257 ) RICH HTML PDF(2906 KB) ( 175 )
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