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石莲叶片弥雾扦插快速繁殖方法技术

花匠小妙招
2025-08-12 01:03

本发明专利技术公开一种石莲叶片弥雾扦插快速繁殖方法，该方法包括培育母本、叶片剥取与伤口愈合、扦插床准备、叶片扦插及管理和穴盘苗管理；其培育母本用无土栽培方式，白天20～30℃，夜间10～16℃，空气相对湿度55～65％，每两周施1次复合肥；扦插叶片置于遮光率为80～85％的温室中晾至叶片基部伤口愈合；苗床扦插基质为鹿沼土；叶片扦插棚内白天20～30℃，夜间12～16℃，空气相对湿度80～90％；叶片生根后移栽，基质为草炭和鹿沼土；穴盘苗棚内温湿度同母本培育。本发明专利技术培育的母本健壮，扦插叶片生根快，从扦插到生根成苗35～42天，从扦插到形成商品种苗45～57天，扦插成苗率达96％以上，适宜规模化种苗生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种植物的叶片扦插快速繁殖方法，具体涉及景天科石莲属的叶片的扦插快速繁殖方法，属于植物繁殖
。
技术介绍
石莲属(Sinocrassula)，主要分布于巴基斯坦北部至中国西南、中部至西北。二年生或多年生草本，具莲座状叶丛，无毛或被微乳头状突起的毛叶厚；花5基数，排成聚伞花序或疏花的总状花序；花萼基部连合，裂片三角形；花瓣较长，分离；雄蕊5，花丝通常连合；近年来，石莲属的多肉植物因其耐旱，耐贫瘠，养护容易等特点，受到越来越多的宠爱。石莲属的繁殖方法主要有种子繁殖，分株繁殖，扦插繁殖和组织培养繁殖。其中，种子繁殖生长较慢，分株繁殖的繁殖率较低，组织培养繁殖的成本较高。扦插繁殖是石莲属种苗繁殖的快速途径，但目前，石莲属叶片的常规扦插繁殖存在扦插叶片腐烂率高、生根慢，很大程度依赖扦插者经验、繁殖效率不稳定，无系统完整的综合扦插快繁栽培措施，难以适宜规模化生产等问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术扦插繁殖存在扦插叶片腐烂率高，生根缓慢、扦插成功率很大程度依赖扦插者经验，繁殖效率不稳定，无...

【技术保护点】
一种石莲属叶片扦插快速繁殖的方法，其特征在于：该方法由培育母本、叶片剥取与伤口愈合、扦插床的准备、叶片扦插及管理和穴盘苗的管理五个步骤组成，各步骤操作如下：(1)培育母本将石莲属种苗移栽于盛有母本栽培基质的花盆中，并放置于无色透明的塑料温室内自然光照培育，控制所述温室内白天温度为20～30℃，夜间温度为10～16℃，空气相对湿度55％～65％，花盆中母本栽培基质表面出现白色时，开始浇水至花盆底部刚有水溢出止，每两周施1次2000倍液的复合肥，所述复合肥中N含量为17％，P2O5含量为17％，K2O含量为17％；所述母本栽培基质由草炭、珍珠岩和鹿沼土按草炭：珍珠岩：鹿沼土的体...

【技术特征摘要】
1.一种石莲属叶片扦插快速繁殖的方法，其特征在于:该方法由培育母本、叶片剥取与伤口愈合、扦插床的准备、叶片扦插及管理和穴盘苗的管理五个步骤组成，各步骤操作如下: (1)培育母本将石莲属种苗移栽于盛有母本栽培基质的花盆中，并放置于无色透明的塑料温室内自然光照培育，控制所述温室内白天温度为20?30°C，夜间温度为10?16°C，空气相对湿度55%?65%，花盆中母本栽培基质表面出现白色时，开始浇水至花盆底部刚有水溢出止，每两周施I次2000倍液的复合肥，所述复合肥中N含量为17% ,P2O5含量为17%，K2O含量为17% ;所述母本栽培基质由草炭、珍珠岩和鹿沼土按草炭:珍珠岩:鹿沼土的体积比为2:1:I的比例混合而成； (2)叶片剥取与伤口愈合当步骤(I)母本植株叶片长至2?4cm、叶片最宽处4?6cm时,从叶片基部取下叶片，所取的叶片收集后放入底部有孔的塑料萝筐中，单层摆放，然后将塑料萝筐放于遮光率为80%?85%的温室中，晾至叶片基部伤口愈合用于扦插； (3)扦插床的准备在装有弥雾系统的弥雾塑料棚中设置扦插苗床，所述弥雾塑料棚内顶部安装遮光率为75?85%的遮阳网，用清水将扦插苗床冲洗干净，待苗床干燥后，在苗床内平铺厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴学尉，卢珍红，余蓉培，王丽花，田敏，周旭红，桂敏，莫锡君，杨锦红，瞿素萍，王继华，
申请(专利权)人：云南集创园艺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：云南;53