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一种利用软x射线照射花粉培育无籽西瓜的方法

花匠小妙招
2025-09-15 15:29

[0027] 1)于早上7 :00~8 :00采摘当天开放的雄花，收集花药，然后将收集的花药置于表面皿中，平铺成3mm的厚度，于26°C、相对湿度为60~65%的环境中干燥60min，之后除去杂质，即得到用于软X射线照射以培育无籽西瓜的花粉；
[0028] 2)将所得花粉置于培养皿中，然后再置于软X射线照射装置中，控制二倍体雄花花粉所在的平面与软X射线发生源的距离为220mm，设置照射剂量为800GY，照射时间为 60min，得到经过照射后的花粉。
[0029] 对比例1
[0030] 重复实施例1的方法，只是将照射时间更改为40min。
[0031] 对比例2
[0032] 重复实施例1的方法，只是将照射时间更改为90min。
[0033] 对比例3
[0034] 重复实施例1的方法，只是将照射时间更改为120min，控制二倍体雄花花粉所在的平面与软X射线发生源的距离为50mm。
[0035] 对比例4
[0036] 重复实施例1的方法，不同的是：控制二倍体雄花花粉所在的平面与软X射线发生源的距离为100mm。
[0037] 对比例5
[0038] 重复实施例1的方法，不同的是：控制二倍体雄花花粉所在的平面与软X射线发生源的距离为300mm。
[0039] 实施例2
[0040] 1)于早上9 :00~10 :00采摘当天开放的雄花，收集花药，然后将收集的花药置于表面皿中，平铺成6mm的厚度，于27°C、相对湿度为70~80 %的环境中干燥90min，之后除去杂质，即得到用于软X射线照射以培育无籽西瓜的花粉；
[0041] 2)将所得花粉置于培养皿中，然后再置于软X射线照射装置中，控制二倍体雄花花粉所在的平面与软X射线发生源的距离为200mm，设置照射剂量为800GY，照射时间为 50min，得到经过照射后的花粉。
[0042] 实施例3
[0043] 1)于早上8 :30~10 :30采摘当天开放的雄花，收集花药，然后将收集的花药置于培养皿中，平铺成2mm的厚度，于25°C、相对湿度为65~70 %的环境中干燥30min，之后除去杂质（昆虫、花瓣、小石粒等），得到二倍体雄花花粉；
[0044] 2)将所得花粉置于培养皿中，然后再置于软X射线照射装置中，控制二倍体雄花花粉所在的平面与软X射线发生源的距离为250mm，设置照射剂量为800GY，照射时间为 65min，得到经过照射后的花粉。
[0045] 实施例4
[0046] 1)于早上9 :00~10 :00采摘当天开放的雄花，收集花药，然后将收集的花药置于表面皿中，平铺成5mm的厚度，于26°C、相对湿度为75~80 %的环境中干燥70min，之后除去杂质，即得到用于软X射线照射以培育无籽西瓜的花粉；
[0047] 2)将所得花粉置于培养皿中，然后再置于软X射线照射装置中，控制二倍体雄花花粉所在的平面与软X射线发生源的距离为100mm，设置照射剂量为800GY，照射时间为 70min，得到经过照射后的花粉。
[0048] 对上述实施例1所得花粉（未经贮藏）、所得花粉于5°C条件下贮藏Id后、5°C条件下贮藏2d后以及5°C条件下贮藏6d后的发芽率进行检测，结果如下述表1所示。按同样的操作对上述实施例2~4及对比例1~5的发芽率进行检测，结果如下述表1所示。
[0049] 实验例：
[0050] 2014年，申请人将按上述各实施例和对比例所述方法制得的花粉（包括未经贮藏和经贮藏）用于大田试验，按现有常规技术对西瓜进行授粉（所有试验在授粉时温度均为 15~18°C )和诱导单性结实以培育无籽西瓜，未提及的管理及操作与现有技术相同。试验的西瓜品种均为黑美人。分别对采用各实施例及各对比例所得花粉的坐果率、所得商品果中无籽西瓜占有率、商品果的果实特征、无籽西瓜中的秕子数等进行统计，结果如下述表1 所示。另外，对西瓜的成熟时间进行统计，发现采用本发明所述方法照射后的花粉进行授粉的西瓜，成熟时间提早3~7天。
[0051] 表1:
[0052]

[0055] 实验例2 :
[0056] 2014年，申请人采用按上述实施例1所述方法制得的花粉，按现有常规技术对农友大宝1号、麒麟瓜84-24、庆发1号等品种在同等种植条件及管理条件下，进行常规人工授粉和诱导单性结实操作，以培育无籽西瓜。结果表明，所有品种西瓜的坐果率均达90%以上，所有品种所得的商品果中无籽西瓜的占有率也都达到95%以上，且所得无籽西瓜中无着色秕籽。其中农友大宝1号品种所得无籽西瓜中单果白色秕子平均为10粒，麒麟84-24 品种所得无籽西瓜中单果白色秕子平均为16粒，庆发1号品种所得无籽西瓜中单果白色秕子平均为12粒。
【主权项】
1. 一种利用软X射线照射花粉培育无籽西瓜的方法，包括获取二倍体雄花花粉的步骤以及用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤，其特征在于：所述获取二倍体雄花花粉的步骤为：采摘雄花，收集花药，然后将收集的花药置于 25~27°C、相对湿度为60~80%的环境中干燥，之后除去杂质，即得到雄花花粉；所述用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤是将获取的二倍体雄花花粉平铺于器皿中，置于软X射线照射装置中，控制照射剂量为800GY，照射时间为50~70min。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在获取二倍体雄花花粉的步骤中，干燥的程度按下述标准操作：将收集的花药置于器皿中，平铺成2~6mm的厚度，再置于25~ 27 °C、相对湿度为60~70 %的环境中干燥30~90min。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在获取二倍体雄花花粉的步骤中，干燥的程度按下述标准操作：将收集的花药置于器皿中，平铺成3~4mm的厚度，再置于26°C、相对湿度为60~70%的环境中干燥50~70min。4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在获取二倍体雄花花粉的步骤中，采摘雄花时，是采摘当天开放的雄花。5. 根据权利要求1~4中任一项所述的方法，其特征在于：在用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤中，在用软X射线照射二倍体雄花花粉时，控制二倍体雄花花粉所在的平面与软X射线发生源的距离为150~250mm。6. 根据权利要求1~4中任一项所述的方法，其特征在于：在用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤中，在用软X射线照射二倍体雄花花粉时，控制二倍体雄花花粉所在的平面与软X射线发生源的距离为180~220mm。7. 根据权利要求1~4中任一项所述的方法，其特征在于：在用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤中，在用软X射线照射二倍体雄花花粉时，控制二倍体雄花花粉在的器皿中的平铺厚度为1~3mm。8. 根据权利要求1~4中任一项所述的方法，其特征在于：在用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤中，控制照射时间为55~65min。
【专利摘要】本发明公开了一种利用软X射线照射花粉培育无籽西瓜的方法，包括获取二倍体雄花花粉的步骤以及用软X射线照射二倍体雄花花粉的步骤，其中：获取二倍体雄花花粉的步骤为：采摘雄花，收集花药，然后将收集的花药置于25～27℃、相对湿度为60～80％的环境中干燥，之后除去杂质，即得雄花花粉；照射步骤为：所得雄花花粉平铺于器皿中，置于软X射线照射装置中，控制照射剂量为800GY，照射时间为50～70min。按本发明所述方法对花粉进行处理和软X线照射，可有效提高花粉的发芽率和坐果率，进一步地，经常规诱导单性结实后西瓜可提前3～7天成熟，糖度提高2～3度，所得成品西瓜中无籽西瓜占90％以上。
【IPC分类】A01H1/08
【公开号】CN104920207
【申请号】CN201510270442
【发明人】林智明
【申请人】桂林嘉佰农农业科技有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年5月22日