半花菁染料LB膜的铁电性与厚度关系
摘要： 报道了半花菁染料LB膜铁电性与膜厚度的依赖性.根据所测得的电滞回线发现,矫顽电场(Ec)随薄膜厚度(以薄膜的层数N表示)的增加而减少,在薄膜厚度为30～200 nm的范围内,它们之间的关系可用幂指数公式表示为Ec∝N－4/3,这种关系与其它传统的无机铁电材料完全相同.通过样品介电和铁电性能的测量,以存贮元件的物理参量－优值(Ps/εrEc)作为参比标准,可得铁电半花菁染料LB膜的最佳厚度为60 nm,且其优值的数值与偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VdF-TrFE) (n :n=70:30)的优值数值处在同一数量级上.
引用本文
李淑红;马世红;李波;孙兰;王根水;孟祥建;褚君浩;王文澄. 半花菁染料LB膜的铁电性与厚度关系[J]. 物理化学学报, 2004, 20(10), 1253-1257. doi: 10.3866/PKU.WHXB20041018
Li Shu-Hong;Ma Shi-Hong;Li Bo;Sun Jing-Lan;Wang Gen-Shui;Meng Xiang-Jian;Chu Jun-Hao;Wang Wen-Cheng. Thickness Dependence of Ferroelectricity in Hemic yanine Langmuir-Blodgett Multilayer Films[J]. Acta Phys. -Chim. Sin. 2004, 20(10), 1253-1257. doi: 10.3866/PKU.WHXB20041018
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