使用14纳米FinFET工艺，三星公开新一代MRAM存储器件研究成果

• 花匠小妙招
• 2024-12-20 04:11

集微网消息，据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域最新研究进展。

会议接收的资料显示，三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。

这一样品数据写入仅消耗每比特25pJ，读取时有功功率要求为14mW，以每秒54Mbyte的数据速率写入的有功功率要求为27mW，与该公司上一代28nm节点的MRAM相比，读取时间加快了2.6倍。

该研究的目标之一是证明嵌入式MRAM作为高速缓存存储器适用于依赖大型数据集和分析的应用程序，例如边缘AI。

第68届 IEDM 的主题是“晶体管问世 75 周年和应对全球挑战的下一个变革性器件”。会议将于2022年12月3日至7日在美国举行。

相关知识

高水平创新驱动硬科技产业链转型升级
尼康&三星存储 “我眼中的世界”摄影赛大奖产生
电流拥挤效应与LED器件可靠性分析
三星、台积电“短兵相接” ，AI赋能芯片产业链高增长预期
国家纳米中心在可控基因治疗纳米药物研究方面取得进展
基于微纳结构阵列的全色彩颜色调控新方法研究
探索DNA纳米技术的优缺点
为靓丽美眉精打细算 三星超值手机全接触(2)
中国农大沈杰教授团队研究成果助力RNA农药及农药纳米化增效减施技术发展
AI让妙笔生花 三星Galaxy Tab S10系列年末热销中

网址: 使用14纳米FinFET工艺，三星公开新一代MRAM存储器件研究成果 https://m.huajiangbk.com/newsview1194751.html