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一种梵净山石斛快速繁殖方法技术

花匠小妙招
2025-01-04 07:23

本发明专利技术公开了一种梵净山石斛快速繁殖方法，涉及梵净山石斛繁殖技术领域，包括两套梵净山石斛快速繁殖体系；体系一：以种子为外植体快速繁殖体系：1.1蒴果消毒、1.2种子萌发及原球茎诱导、1.3.1原球茎增殖、1.3.2无菌小苗增殖、1.4生根壮苗培养；体系二：以带节茎段为外植体快速繁殖体系：2.1茎段消毒和接种、2.2腋芽诱导、2.3不定芽诱导和增殖、2.4生根壮苗培养；本发明专利技术采用种子和带节茎段为外植体进行组培快繁，繁殖材料易获得，茎段采集不受季节约束，四季皆宜，环境条件容易控制，解决了梵净山石斛繁殖难、种苗参差不齐等问题，具有广阔的市场前景和研究价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及梵净山石繁殖，具体为一种梵净山石斛快速繁殖方法。

技术介绍

1、梵净山石斛(dendrobium fanjingshanense)为兰科(orchidaceae)石斛属(dendrobium)附生植物，是2001年发现的一个新种，为保护植物。其可入药，用于治疗口干、烦渴、热病伤津、肺热干咳、腰膝软弱、阴伤目暗等病症，具有药用价值，是药用植物；其花黄褐色或橙黄色，也具有较高的观赏价值，可作为观赏植物。此外，梵净山石斛营养价值高，文献报道，其水分含量高，富含蛋白质和粗纤维，且脂肪含量较低，并且含有粗多糖及黄酮类成分，具有抗氧化潜力。梵净山石斛含有16种氨基酸，必需氨基酸(eaa)占氨基酸(taa)总量的42.92％，必需氨基酸与非必需氨基酸(neaa)的比值为86.96％，符合fao/who提出的理想蛋白模式，说明其是一种优质的蛋白来源，脂肪酸中不饱和脂肪酸含量较多，最丰富的是亚油酸，其次是油酸和亚麻酸，矿物质中具有钾、钙、铁等这些丰富的高营养价值的矿质元素，此外，贵州梵净山产的梵净山石斛中还含有硒元素，硒元素具有很多保健功能，可开发利用为富硒产品。和铁皮石斛相比，梵净山石斛中铜、钙、镁、钾和硒5种元素的含量均高出铁皮石斛，在有效成分方面，除了粗多糖含量较低外，梵净山石斛的醇溶性浸出物含量和石斛碱含量均高于铁皮石斛，因此，梵净山石斛同样具有较高的开发利用价值。

2、梵净山石斛分布范围狭窄，自然分布区少，仅在贵州省梵净山黑湾河和浙江省九龙山国家级自然保护区发现分布，种群数量少，亟待恢复，其种子微小，胚胎发育不

3、但是，目前人工繁育种植仍存在一定的限制，研究开发出有质量有产量的梵净山石斛是缓解资源稀缺的可行性措施，为此，我们提出一种梵净山石斛快速繁殖方法。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供一种梵净山石斛快速繁殖方法，采用梵净山石斛种子和茎段作为外植体进行组织培养研究，建立快繁技术体系，为其保育和开发利用提供研究资料，可以有效解决
技术介绍
中的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种梵净山石斛快速繁殖方法，包括两套梵净山石斛快速繁殖体系；

3、体系一：以种子为外植体快速繁殖体系：1.1蒴果消毒、1.2种子萌发及原球茎诱导、1.3.1原球茎增殖、1.3.2无菌小苗增殖、1.4生根壮苗培养；

4、体系二：以带节茎段为外植体快速繁殖体系：2.1茎段消毒和接种、2.2腋芽诱导、2.3不定芽诱导和增殖、2.4生根壮苗培养。

5、优选的，所述体系一包含以下步骤：

6、1.1蒴果消毒：将未开裂的蒴果用洗洁精搓洗15～30s后自来水冲洗30min，然后转移至超净工作台，75％酒精消毒30s，无菌水冲洗3次，0.1％升汞消毒15min，无菌水冲洗6；

7、1.2.种子萌发和原球茎诱导：在超净工作台内，将消毒后的梵净山石斛蒴果置于无菌滤纸上，吸干表面的水分，用无菌解剖刀将蒴果纵向剖开，取出种子，均匀撒在萌发培养基上进行原球茎诱导；

8、1.3.1原球茎增殖：选取生长良好的原球茎作为外植体，转接到原球茎增殖培养基中，进行原球茎增殖培养；

9、1.4生根壮苗培养：选取生长健壮、长势一致的增殖无菌小苗，将无菌小苗切成单株，接种到培养基中，进行生根壮苗培养。

10、优选的，所述体系一包含以下步骤：

11、1.1蒴果消毒：将未开裂的蒴果用洗洁精搓洗15～30s后自来水冲洗30min，然后转移至超净工作台，75％酒精消毒30s，无菌水冲洗3次，0.1％升汞消毒15min，无菌水冲洗6；

12、1.2种子萌发：在超净工作台内，将消毒后的梵净山石斛蒴果置于无菌滤纸上，吸干表面的水分，用无菌解剖刀将蒴果纵向剖开，取出种子，均匀撒在萌发培养基上进行种子萌发。

13、1.3.2无菌小苗增殖：将萌发的无菌小苗(0.5～1cm)作为外植体，将小苗接种到无菌小苗增殖培养基中，进行增殖培养；

14、1.4生根壮苗培养：选取生长健壮、长势一致的增殖无菌小苗，将无菌小苗切成单株，接种到培养基中，进行生根壮苗培养。

15、优选的，所述体系二包含以下步骤：

16、2.1茎段消毒和接种：用剪刀从梵净山石斛植株上剪掉茎段，去掉叶片和叶鞘，剪成8～10cm长，用洗洁精搓洗15～30s后自来水冲洗30min，然后转移至超净工作台，按照以下消毒方法处理进行消毒：75％酒精消毒30s，无菌水冲洗3次，0.1％hgcl2消毒13min，无菌水冲洗6次；

17、2.2腋芽诱导：在超级工作台内取出消毒后的梵净山石斛茎段，置于无菌滤纸上，吸干表面水分，用无菌剪刀将茎段剪成2～3cm长的带节茎段，正插放于腋芽诱导培养中。

18、2.3不定芽诱导和增殖：将诱导出的腋芽作为外植体，将芽从茎段基部切下，接种到培养基中，进行不定芽诱导和增殖培养；

19、2.4生根壮苗培养：选取生长健壮、长势一致的增殖无菌小苗，将无菌小苗切成单株，接种到培养基中，进行生根壮苗培养

20、优选的，所述种子萌发和原球茎诱导培养基配方为ms+1.0mg/lnaa+1.0mg/l6-ba+7g/l琼脂+25g/l蔗糖+1g/l活性炭，培养基灭菌调节为ph5.7±0.1，于121℃高温下灭菌20min后冷却凝固，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照/黑暗时间14/12h，光照强度1500～2000lx。

21、优选的，所述原球茎增殖培养基的配方为ms+0.5mg/lnaa+2mg/l6-ba+7g/l琼脂+25g/l蔗糖，培养基灭菌调节为ph5.7±0.1，于121℃高温下灭菌20min后冷却凝固，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照/黑暗时间14/12h，光照强度1500～2000lx。

22、优选的，所述无菌小苗增殖所用的培养基配方为ms+1.0mg/lnaa+1.0mg/l6-ba+7g/l琼脂+25g/l蔗糖，或者：ms+1.0mg/lnaa+2.0mg/l6-ba+7g/l琼脂+25g/l蔗糖，或者：ms+1.0mg/lnaa+3.0mg/l6-ba+7g/l琼脂+25g/l蔗糖，培养基灭菌调节为ph5.7±0.1，于121℃高温下灭菌20min后冷却凝固，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照/黑暗时间14/12h，光照强度1500～2000lx。

23、优选的，所述生根壮苗培养所用的培养基配方为ms+0.5mg/l naa+1mg/l iba+7g/l+25g/l蔗糖，或者：ms+0.5mg/l naa+0.1mg/l iba+7g/l+25g/l蔗糖，或者：ms+0.5mg/lnaa+0.5mg/l iba本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：包括两套梵净山石斛快速繁殖体系；

2.根据权利要求1所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述体系一包含以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述体系一包含以下步骤：

4.根据权利要求1所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述体系二包含以下步骤：

5.根据权利要求2、3任一项所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述种子萌发和原球茎诱导培养基配方为MS+1.0mg/LNAA+1.0mg/L6-BA+7g/L琼脂+25g/L蔗糖+1g/L活性炭，培养基灭菌调节为pH5.7±0.1，于121℃高温下灭菌20min后冷却凝固，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照/黑暗时间14/12h，光照强度1500～2000lx。

6.根据权利要求2所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述原球茎增殖培养基的配方为MS+0.5mg/LNAA+2mg/L6-BA+7g/L琼脂+25g/L蔗糖，培养基灭菌调节为pH5.

7.根据权利要求3所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述无菌小苗增殖所有的培养基配方为MS+1.0mg/LNAA+1.0mg/L6-BA+7g/L琼脂+25g/L蔗糖，或者：MS+1.0mg/LNAA+2.0mg/L6-BA+7g/L琼脂+25g/L蔗糖，或者：MS+1.0mg/LNAA+3.0mg/L6-BA+7g/L琼脂+25g/L蔗糖，培养基灭菌调节为pH5.7±0.1，于121℃高温下灭菌20min后冷却凝固，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照/黑暗时间14/12h，光照强度1500～2000lx。

8.根据权利要求2、3、4任一项所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述生根壮苗培养所有的培养基配方为MS+0.5mg/L NAA+1mg/L IBA+7g/L+25g/L蔗糖，或者：MS+0.5mg/L NAA+0.1mg/L IBA+7g/L+25g/L蔗糖，或者：MS+0.5mg/L NAA+0.5mg/L IBA+7g/L+25g/L蔗糖，培养基灭菌调节为pH5.7±0.1，于121℃高温下灭菌20min后冷却凝固，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照/黑暗时间14/12h，光照强度1500～2000lx。

9.根据权利要求4所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述腋芽诱导培养基配方为1/2MS+0.5mg/L6-BA+0.2mg/LNAA+7g/L+25g/L蔗糖，或者：B5+0.5mg/L6-BA+0.2mg/LNAA+7g/L+25g/L蔗糖，培养基灭菌调节为pH5.7±0.1，于121℃高温下灭菌20min后冷却凝固，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照/黑暗时间14/12h，光照强度1500～2000lx。

10.根据权利要求4所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述不定芽诱导和增殖所用的培养基配方为培养基配方：1/2MS+0.5mg/L NAA+1mg/L6-BA+7g/L+25g/L蔗糖，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照/黑暗时间14/12h，光照强度1500～2000lx。

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【技术特征摘要】

1.一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：包括两套梵净山石斛快速繁殖体系；

2.根据权利要求1所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述体系一包含以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述体系一包含以下步骤：

4.根据权利要求1所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述体系二包含以下步骤：

5.根据权利要求2、3任一项所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述种子萌发和原球茎诱导培养基配方为ms+1.0mg/lnaa+1.0mg/l6-ba+7g/l琼脂+25g/l蔗糖+1g/l活性炭，培养基灭菌调节为ph5.7±0.1，于121℃高温下灭菌20min后冷却凝固，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照/黑暗时间14/12h，光照强度1500～2000lx。

6.根据权利要求2所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述原球茎增殖培养基的配方为ms+0.5mg/lnaa+2mg/l6-ba+7g/l琼脂+25g/l蔗糖，培养基灭菌调节为ph5.7±0.1，于121℃高温下灭菌20min后冷却凝固，培养基接种后培养条件为：培养温度25±2℃，光照/黑暗时间14/12h，光照强度1500～2000lx。

7.根据权利要求3所述的一种梵净山石斛快速繁殖方法，其特征在于：所述无菌小苗增殖所有的培养基配方为ms+1.0mg/lnaa+1.0mg/l6-ba+7g/l琼脂+25g/l蔗糖，或者：ms+1.0mg/lnaa+2.0mg/l6-ba+7g/l琼脂+25g/l蔗糖，或者：ms+1.0mg/lnaa+3.0mg/l6-ba+7g/l琼脂+25g/...

【专利技术属性】
技术研发人员：马菁华，刘芳，李海波，任启飞，欧明烛，陈云飞，
申请(专利权)人：贵州省植物园，
类型：发明
国别省市：