石斛育苗方法与流程
技术总结
本发明公开一种石斛育苗方法，该方法包括：a、将带节的石斛茎段在培养基中培养，诱导腋芽；b、待腋芽生长高度超过1cm时，将芽点切除，诱导丛生芽；c、待众生芽生长达到1cm～2cm时，切割丛生芽，丛生芽进行增值及生根培养，并将切割完丛生芽的原茎段继续在培养基中培养，诱导愈伤组织；d、当愈伤组织形成后，将愈伤组织切割并转入培养基中继续培养，诱导丛生芽；e、将丛生芽转入培养基中增殖培养；f、当丛生芽生长高度达到2cm～3cm时，将其转入培养基中进行生根培养。本发明的技术方案可以有效的增加扩繁数量，从而能生产出大量优质的石斛苗。
技术研发人员：陈文;敖静;张云霞
受保护的技术使用者：深圳市华盛实业股份有限公司
文档号码：201611027267
技术研发日：2016.11.16
技术公布日：2017.05.31
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