红外线(Infrared,简称IR)是波长介乎微波与可见光之间的电磁波,其波长在760奈米(nm)至1毫米(mm)之间,是波长比红光长的非可见光,对应频率约是在430 THz到300 GHz的范围内。室温下物体所发出的热辐射多都在此波段。
1.1 一般使用者的分类是: 1.2 感测器回应分类方案可以依不同感测器可侦测的范围来分类:
近红外线: 波长范围为 0.7 至 1.0 µm(由人眼无法侦测的范围到硅可响应的范围)短波红外线:波长范围为 1.0 至 3.0 µm(由硅的截止频率到大气红外线窗口的截止频率),InGaAs范围可以到 1.8 µm,一些较不灵敏的铅盐也可侦测到此范围。中波红外线:波长范围为 3.0 至 5.0 µm(由大气红外线窗口定义,也是锑化铟及HgCdTe可覆盖的范围,有时是硒化铅可覆盖的范围)长波红外线:波长范围为 8.0 至 12.0 或是 7.0 至 14 µm(是HgCdTe及微测辐射热计可覆盖的范围)远红外线(VLWIR):波长范围为 12.0 至 30 µm,是掺杂硅可覆盖的范围 1.3 红外线辐射源区分红外线辐射源可区分为四部分:
白炽发光区(Actinic range):或称“光化反应区”,由白炽物体产生的射线,自可见光域到红外域。如灯泡(钨丝灯,TUNGSTEN FILAMENT LAMP),太阳。热体辐射区(Hot-object range):由非白炽物体产生的热射线,如电熨斗及其它的电热器等,平均温度约在400℃左右。发热传导区(Calorific range):由滚沸的热水或热蒸汽管产生的热射线。平均温度低于200℃,此区域又称为“非光化反应区”(Non-actinic)。温体辐射区(Warm range):由人体、动物或地热等所产生的热射线,平均温度约为40℃左右。站在照相与摄影技术的观点来看感光特性:光波的能量与感光材料的敏感度是造成感光最主要的因素。
波长愈长,能量愈弱,即红外线的能量要比可见光低,比紫外线更低。但是高能量波所必须面对的另一个难题就是:能量愈高穿透力愈强,无法形成反射波使感光材料撷取影像,例如X光,就必须在被照物体的背后取像。因此,摄影术就必须往长波长的方向——“近红外线”部分发展。
以造影为目标的近红外线摄影术,随着化学与电子科技的进展,演化出下列三个方向:
由第一节可知,我们所见到的红外图像,其实是通过目标场景的热辐射获得完整的热排放量的被动影像。而常见的民用安防类“红外机芯”成像系统,主要是长波红外(参考公司:IRay/广微...)。需要注意的是,中波红外一般不拿来做视频成像,进几年其结合偏振则可以实现极好的效果。
因为长波的能量较弱,以及国产的焦平面的性能指标(国外进口的B、C类探测器)较低,进而产生了一系列红外机芯图像处理算法诸如:
红外成像系统的构成:
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红外(热)辐射 光学镜头结构 焦平面-[热信号->电信号] ADC-[模拟信号->数字信号] FPGA(DSP)-[图像处理算法] DAC-[数字信号->模拟信号] 视频显示 输出视频
红外焦平面探测器的发展极大丰富了红外成像技术的内容,包括扫描/凝视/微扫描红外成像、中波/长波/短波红外成像、制冷/非制冷红外成像等。这里看一张红外探测器(机芯的发展图),如下:
从器件结构可以发现,第四代的红外焦平面在第三代结构之上已经开始整合偏振结构。其关键点变为:像元级光场聚焦,光学滤波与偏振选择。
我们再看一下经典的焦平面结构,如下图所示。上面橙色部分为焦平面,下面为读出电路(ROIC: ReadOut IC),两边为桥腿结构。
红外热成像系统因其成像波长较长,导致了红外图像存在噪声大、对比度低、非均匀性大、空间分辨力差等缺陷,为克服这些缺陷,自红外热成像技术诞生之初,红外探测器材料、制造工艺和成像电子学组件的研究便成为三大热点研究方向[1][红外图像处理技术现状及发展趋势]。
缺点:
红外成像受非均匀性及无效像元的影响,实际温度分辨率不高,;如下表所示,针对这个问题,我们使用非均匀性校正处理
优点:
被动工作、抗干扰性较强、全天候工作特性等;局部特征稳定。[1] 红外图像处理技术现状及发展趋势; [2] Book:红外图像处理、分析与融合; [3] 红外成像技术中的 9 个问题。 123
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