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一种金钗石斛催花设备及催花方法

花匠小妙招
2025-07-22 23:29

1.本发明涉及植物栽培和催花技术领域，具体涉及一种金钗石斛催花设备及催花方法。

背景技术：

2.金钗石斛为兰科石斛属植物，兼具观赏和药用价值，是我国一种名贵中药材和兰花，深受我国人民喜爱。但由于金钗石斛花期在3-5月，刚好错过国庆、元旦、春节和元宵节等中国传统节日，再加上开花不整齐，导致有市无花或者有花无市的局面，严重影响金钗石斛的市场价值。金钗石斛花也作为一种赏食两用的保健食材或盆景，价格昂贵，但因为花期相对市场上的许多春石斛品种，偏晚1个月左右，催花难度更大，可见花芽诱导以及催花技术是影响金钗石斛盆花销售的瓶颈问题，而花数量少也严重影响花的产量，从而降低商品价值，严重阻碍金钗石斛的产业发展。目前有关金钗石斛催花技术的报道比较少见，主要涉及秋石斛、铁皮石斛和春石斛的花期调控专利。发明专利cn106613114a公开了一种秋石斛花期调控方法，其采用肥料管理结合植物生长调节剂6-ba催花，解决了秋石斛花期与市场需求相矛盾的问题。
3.专利cn105145628a公开了一种促进春石斛花芽分化的诱导剂及其诱导方法，其采用由赤霉素溶液和氯化铕溶液组成的诱导剂，提高花芽诱导的数量与质量，延长花期。另外专利cn103918494a公开了一种铁皮石斛花期调控的方法，在预期的开花期提前2个月左右开始进行人工催花，控制大棚内的温度及湿度，温度控制在15℃-18℃，湿度为50％-60％，预计开花前20天，温度控制在20℃-23℃，即可在预期开花期开花第三天进行授粉，同时在此期间，进行钾肥的补给，通常用自配花果根动力1000倍，靓果宝1000倍，每7-10天为一周期轮换施用。每天光照8个小时以上，光照保持在14000lux-17000lux，催花期白天湿度为50％-60％，夜间湿度为60％-70％；该方法使得铁皮石斛的花期时间段跨越两个季度。
4.专利cn103004395a公开了一种春石斛花期调控方法，在营养生长阶段，自3月初至8月底每月施肥2～3次，肥料的n∶p∶k＝2∶2∶2，温度保持在20～25℃，光照强度保持在60000lux，花芽分化阶段，施用6-ba激素和ga3，温度保持在18～20℃，其中6-ba激素的浓度为400mg/l，ga3的浓度为100mg/l，肥料的n∶p∶k＝1∶3∶2，开花阶段，当花芽伸长到1cm时，进行加温催花，温度为20～24℃，光照强度为40000lux，十天进行一次施肥，肥料的n∶p∶k＝2∶2∶2。本发明解在达到较好的催花效果的前提下，保证不受自然气候等不定因素的影响，开花率稳定，解决了催花中花期调控的难点。
5.但是金钗石斛与铁皮石斛或者春石斛的生长习性不同，上述现有技术中的催花方法并不适用于金钗石斛，现有技术有关金钗石斛的催花设备以及催花方法也鲜有研究。
6.故亟需提供一种金钗石斛催花设备及催花方法，提高金钗石斛的花芽诱导率和开花率，提升金钗石斛的商业价值。

技术实现要素：

7.为了解决上述问题，本发明提供一种金钗石斛催花设备及催花方法。
8.为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
9.一种催花设备，包括催花棚，所述催花棚内设置栽培架，所述栽培架内放置植物，位于植物的上方的所述栽培架上设置光源，所述栽培架的上方设置控制箱，所述控制箱与所述光源电连接；所述催花棚内还设置用于控制湿度的加湿器、用于控制温度的低温空调以及用于控制所述加湿器和所述低温空调的控制终端。
10.进一步地，所述栽培架上设置若干沿竖直方向阵列设置的承载板，所述承载板上放置植物，所述承载板的下方设置所述光源，用于照射下方的承载板上的植物；不同层的所述光源之间为并联连接。
11.进一步地，所述光源为混合光源，能够发射出蓝光、白光、红光。
12.本发明还提供一种金钗石斛催花方法，包括如下步骤：
13.s1、催熟阶段：将封顶的金钗石斛的成熟苗进行催熟处理，所述催熟处理的温度为24-26℃，湿度为65％-70％，采用光照强度为40-60μmol
·
m-2
·
s-1
的蓝光补光处理，光照处理时间为一天11-13小时，促使金钗石斛的茎段达到完全成熟状态；
14.s2、诱导花芽：对金钗石斛进行诱导处理，所述诱导处理的温度为13-18℃，光照强度为80-120μmol
·
m-2
·
s-1
，光质为红蓝光、白光中的一种，光照时间为每天11-13小时，湿度为65％-70％，直至诱导出花芽；
15.s3、催花阶段：对金钗石斛进行催花处理，所述催花处理的温度为22-25℃，湿度为65％-70％，直至开花。
16.进一步地，所述诱导处理的光质为白光，光照强度为100μmol
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·
s-1
。
17.更进一步地，所述诱导处理的夜间温度为13-15℃，白天温度为15-18℃。
18.进一步地，所述诱导处理的光质还可以为红蓝光，其中红光与蓝光的光强比为1：1-2：1。
19.更进一步地，红光与蓝光的光强比为1：1-2：1，光照强度为100μmol
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m-2
·
s-1
，夜间温度为13-15℃，白天温度为15-18℃。
20.与现有技术相比，本发明的有益效果为：
21.本发明将金钗石斛的催花过程分为三个阶段，在茎段催熟阶段使用合适的环境条件以及蓝光光质处理，促使茎段完全成熟；再调节催花设备的温度为诱导花芽提供低温环境，结合特殊的光质处理，并控制夜间温度和白天温度；在催花阶段采用适当的高温结合自然光使植株处于良好的生长环境，最终植株花芽诱导率达到100％，每段假鳞茎开花节数为4.9-5.3节，单株开花朵数达9.9-10.4朵。
附图说明
22.图1为本发明中所述金钗石斛催花设备的结构示意图。
23.附图标记说明：
24.1-催花棚；2-栽培架；3-植物；4-光源；5-控制箱；6-承载板；7-加湿器；8-控制终端；9-低温空调。
具体实施方式
25.下面将结合附图说明对本发明的技术方案进行清楚的描述，显然，所描述的实施例并不是本发明的全部实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，并不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
26.如图1所示，本发明提供一种催花设备，包括催花棚1，所述催花棚1内设置栽培架2，所述栽培架2内放置植物3，位于植物3的上方的所述栽培架2上设置光源4，所述栽培架2上方设置控制箱5，所述控制箱5与所述光源4电连接；所述催花棚1内还设置用于控制湿度的加湿器7、用于控制温度的低温空调9以及用于控制所述加湿器7和所述低温空调9的控制终端8。
27.所述栽培架2上设置若干沿竖直方向阵列设置的承载板6，所述承载板6上放置植物3，所述承载板6的下方设置所述光源4，用于照射下一层的承载板6上的植物3；不同层的所述光源4之间为并联连接，每一层承载板6上的光源4可独立控制。所述光源4为混合光源，能够发射出蓝光、白光、红光。
28.本发明还提供一种金钗石斛催花方法，包括如下步骤：
29.s1、催熟阶段：将封顶的金钗石斛的成熟苗进行催熟处理，所述催熟处理的温度为24-26℃，湿度为65％-70％，采用光照强度为40-60μmol
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m-2
·
s-1
的蓝光补光处理，光照处理时间为一天11-13小时，促使金钗石斛的茎段达到完全成熟状态；
30.s2、诱导花芽：对金钗石斛进行诱导处理，所述诱导处理的温度为13-18℃，光照强度为80-120μmol
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m-2
·
s-1
，光质为红蓝光、白光中的一种，光照时间为每天11-13小时，湿度为65％-70％，直至诱导出花芽；
31.s3、催花阶段：对金钗石斛进行催花处理，所述催花处理的温度为22-25℃，湿度为65％-70％，直至开花。
32.下面结合具体实施例进一步说明本发明：
33.实施例及对比例中的植株为2年生种子实生苗，每组植株数量为15株，每组重复实施3次，其中花芽诱导成功的判断标准为花芽诱导长度至少为0.2cm，并且不逆转成叶芽。实验开始时间为10月中旬。
34.实施例1
35.采用本发明中所述催花设备，具体催花方法为：
36.s1、预处理阶段：将封顶的金钗石斛的成熟苗进行催熟处理，所述催熟处理的温度为24℃，湿度为65％-70％，采用蓝光补光，补光光强为60μmol
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s-1
；
37.s2、诱导花芽：对金钗石斛进行诱导处理，所述诱导处理的温度为夜晚13℃，白天16℃，光照强度为120μmol
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s-1
，光照处理的光质为白光，光照时间为每天11小时，湿度为65％-70％，诱导时间40天；
38.s3、催花阶段：对金钗石斛进行催花处理，所述催花处理的温度为22℃，湿度为65％-70％，催花45天。
39.实施例2
40.采用本发明中所述催花设备，具体催花方法为：
41.s1、预处理阶段：将封顶的金钗石斛的成熟苗进行催熟处理，所述催熟处理的温度为26℃，湿度为65％-70％，采用蓝光补光，补光光强为40μmol
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·
s-1
；
42.s2、诱导花芽：对金钗石斛进行诱导处理，所述诱导处理的温度为夜晚13℃，白天18℃，光照强度为80μmol
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·
s-1
，光照处理的光质为白光，光照时间为每天13小时，湿度为65％-70％，诱导时间40天；
43.s3、催花阶段：对金钗石斛进行催花处理，所述催花处理的温度为25℃，湿度为65％-70％，催花45天。
44.实施例3
45.采用本发明中所述催花设备，具体催花方法为：
46.s1、预处理阶段：将封顶的金钗石斛的成熟苗进行催熟处理，所述催熟处理的温度为25℃，湿度为65％-70％，采用蓝光补光，补光光强为50μmol
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s-1
；
47.s2、诱导花芽：对金钗石斛进行诱导处理，所述诱导处理的温度为全天15℃，光照强度为100μmol
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·
s-1
，光照处理的光质为白光，光照时间为每天12小时，湿度为65％-70％，诱导时间40天；
48.s3、催花阶段：对金钗石斛进行催花处理，所述催花处理的温度为23℃，湿度为65％-70％，催花45天。
49.实施例4
50.本实施例与实施例3的区别在于：所述诱导处理的温度为全天15℃，光照处理的光质为红蓝光，红蓝光的光强比为1：1，光照强度为80μmol
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s-1
，光照时间为每天13小时，湿度为65％-70％，诱导时间40天。
51.实施例5
52.本实施例与实施例3的区别在于：所述诱导处理的温度为夜晚13℃，白天16℃，光照处理的光质为红蓝光，红蓝光的光强比为3：2，光照强度为120μmol
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s-1
，光照时间为每天11小时，湿度为65％-70％，诱导时间40天。
53.实施例6
54.本实施例与实施例3的区别在于：所述诱导处理的温度为夜晚13℃，白天18℃，光照处理的光质为红蓝光，红蓝光的光强比为2：1，光照强度为100μmol
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s-1
，光照时间为每天12小时，湿度为65％-70％，诱导时间40天。
55.对比例1
56.采用本发明中所述催花设备，具体催花方法为：
57.s1、催熟阶段：将封顶的金钗石斛的成熟苗进行催熟处理，所述催熟处理的温度为20℃，湿度为65％-70％，采用蓝光补光，补光光强为80μmol
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；
58.s2、诱导花芽：对金钗石斛进行诱导处理，所述诱导处理的温度为全天10℃，光照强度为150μmol
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s-1
，光照处理的光质为白光，光照时间为每天12小时，湿度为65％-70％，诱导时间40天；
59.s3、催花阶段：对金钗石斛进行催花处理，所述催花处理的温度为20℃，湿度为65％-70％，催花45天。
60.对比例2
61.采用本发明中所述催花设备，具体催花方法为：
62.s1、催熟阶段：将封顶的金钗石斛的成熟苗进行催熟处理，所述催熟处理的温度为28℃，湿度为65％-70％，采用蓝光补光，补光光强为30μmol
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s-1
；
63.s2、诱导花芽：对金钗石斛进行诱导处理，所述诱导处理的温度为夜晚10℃，白天20℃，光照强度为60μmol
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m-2
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s-1
，光照处理的光质为白光，光照时间为每天14小时，湿度为65％-70％，诱导时间40天；
64.s3、催花阶段：对金钗石斛进行催花处理，所述催花处理的温度为28℃，湿度为65％-70％，催花45天。
65.对比例3
66.采用本发明中所述催花设备，具体催花方法为：
67.s1、催熟阶段：将封顶的金钗石斛的成熟苗进行催熟处理，所述催熟处理的温度为28℃，湿度为65％-70％，采用蓝光补光，补光光强为30μmol
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m-2
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s-1
；；
68.s2、诱导花芽：对金钗石斛进行诱导处理，所述诱导处理的温度为夜晚10℃，白天20℃，光照强度为60μmol
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m-2
·
s-1
，光照处理的光质为红蓝光，红蓝光光强比例为1：2，光照时间为每天13小时，湿度为65％-70％，诱导时间40天；
69.s3、催花阶段：对金钗石斛进行催花处理，所述催花处理的温度为20℃，湿度为65％-70％，催花45天。
70.对比例4
71.采用本发明中所述催花设备，具体催花方法为：
72.s1、催熟阶段：将封顶的金钗石斛的成熟苗进行催熟处理，所述催熟处理的温度为20℃，湿度为65％-70％，采用蓝光补光，补光光强为80μmol
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m-2
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s-1
；；
73.s2、诱导花芽：对金钗石斛进行诱导处理，所述诱导处理的温度为全天10℃，光照强度为150μmol
·
m-2
·
s-1
，光照处理的光质为红蓝光，红蓝光光强比例为3：1，光照时间为每天13小时，湿度为65％-70％，诱导时间40天；
74.s3、催花阶段：对金钗石斛进行催花处理，所述催花处理的温度为28℃，湿度为65％-70％，催花45天。
75.最终的花芽诱导率、开花率以及每株的开花节数和开花朵数见下表2。
76.表2各组样本经过催花处理后的花芽诱导开花情况
[0077][0078][0079]
其中，花芽诱导率＝花芽诱导株数*100％/总处理株数，开花率＝开花诱导株数*
100％/总处理株数。
[0080]
结果分析：经过本发明提供的催花方法，实施例植株花芽诱导率、开花率、开花节数和开花朵数都明显优于对照例。实施例花芽诱导率和开花率达100％，开花节数均为2.6节以上，每节的开花朵数达到5.4朵以上，能够满足市场出货要求；可见，蓝光催熟进而采用低温和白光补光预处理，或者采用适当比例红蓝光花芽诱导，可以大大提高金钗石斛的开花水平和商品价值。
[0081]
以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照实例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。