一种界面调控人工反铁磁耦合场结构的制备工艺2024.pdf专利下载
发明
2024-10-23 13:03:56 发布于四川 4
申请专利号：CN202410807125.9 公开（公告）日：2024-10-22 公开（公告）号：CN118829346A 申请人：甘肃省科学院传感技术研究所摘要：本发明公开了一种界面调控人工反铁磁耦合场结构的制备工艺，涉及自旋电子学与信息技术领域。人工反铁磁的结构由下向上分别为：基底、缓冲层、种子层、下磁性层、下界面磁性层、非磁性层、上界面磁性层、上磁性层和保护层。本发明的方法是人工反铁磁结构中，改变非磁性层/磁性层界面磁性层中的原子比，通过原子的比例来调节费米能级的位置，使导带与价带之间的带隙最小，电子易于跃迁，磁性层中自旋极化导电电子数增多，诱导间隔层的传导电子自旋极化，层间交换耦合强度增强，导致反铁磁耦合场增强。
专利内容
本发明公开了一种界面调控人工反铁磁耦合场结构的制备工艺，涉及自旋电子学与信息技术领域。人工反铁磁的结构由下向上分别为：基底、缓冲层、种子层、下磁性层、下界面磁性层、非磁性层、上界面磁性层、上磁性层和保护层。本发明的方法是人工反铁磁结构中，改变非磁性层/磁性层界面磁性层中的原子比，通过原子的比例来调节费米能级的位置，使导带与价带之间的带隙最小，电子易于跃迁，磁性层中自旋极化导电电子数增多，诱导间隔层的传导电子自旋极化，层间交换耦合强度增强，导致反铁磁耦合场增强。H10N50/01(2023.01);H10N50/85(2023.01);H10N50/10(2023.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/14(2006.01);C23C14/54(2006.01)
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