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发明
一种卤素插层的五氧化二钒纳米花的制备方法、产品及应用
2023-05-24 13:11:51 发布于四川 4
申请专利号：CN202310234763.1 公开（公告）日：2023-11-14 公开（公告）号：CN116135788A 申请人：浙江师范大学摘要：本发明公开了一种卤素插层的五氧化二钒纳米花的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：(1)以钒酸铵和草酸为原料，水热反应合成V2O5；(2)将步骤(1)制备的V2O5与炭黑和PVDF混合后，涂敷在碳布上加热干燥得到V2O5@CC；(3)将步骤(2)得到的V2O5@CC为正极，锌片为负极，与含有卤盐的电解液组装成两电极电解池，采用两电极恒电位电沉积的方法，将卤素单质电沉积到V2O5上，得到卤素插层的五氧化二钒纳米花。本发明还公开了通过上述制备方法得到的卤素插层的五氧化二钒纳米花及其在制备锌离子电池上的应用。本发明提供的制备方法简单，制备得到的卤素插层的五氧化二钒纳米花应用在锌离子电池时可提高其储能性能。
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专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116135788 A (43)申请公布日 2023.05.19 (21)申请号 202310234763.1 B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日 2023.03.13 (71)申请人 浙江师范大学 地址 321004 浙江省金华市迎宾大道688号 (72)发明人 周乐 王海燕 (74)专利代理机构 杭州天勤知识产权代理有限 公司 33224 专利代理师 白静兰 (51)Int.Cl. C01G 31/02 (2006.01) C25D 9/04 (2006.01) H01M 4/62 (2006.01) H01M 4/48 (2010.01) H01M 10/36 (2010.01) B82Y 30/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图6页 (54)发明名称 一种卤素插层的五氧化二钒纳米花的制备 方法、产品及应用 (57)摘要 本发明公开了一种卤素插层的五氧化二钒 纳米花的制备方法，其特征在于，所述制备方法 包括：(1)以钒酸铵和草酸为原料，水热反应合成 V O ；(2)将步骤 (1)制备的V O 与炭黑和PVDF混 2 5 2 5 合后，涂敷在碳布上加热干燥得到V O @CC ；(3)
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