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清洗掩模的制作方法

花匠小妙招
2024-12-05 15:20

专利名称：清洗掩模的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体工艺领域，特别是用于半导体工艺中的掩模清洗。
背景技术：
半导体器件的一种形式为利用C凸块(C-bump)技术连接半导体器件及外部电路。为形成用于C凸块技术的导体，先将掩模直接放置在集成电路的晶圆上，并将传导性金属沉积在集成电路由掩模决定的位置上。C凸块技术可使集成电路与外部电路元件(例如其它集成电路或其它器件)间有更快(高频)的连接。然而，C凸块技术需要复杂且严密控制的制造过程以获得此效果。
正如所预期的，该等掩模有严格的容差范围。在一制程(process)中，掩模中的孔洞界定的直径为4mil(101.6μm)，容差范围为1％。此外，掩模每次使用后都必须清洗，且不能改变孔洞的尺寸使其超出制程容差范围。故，清洗掩模是一个具挑战性的问题。
另外，在某些制程中，掩模会经多次利用和清洗，有时每一掩模甚达十次之多。因此，对掩模孔洞有微小改变的清洗过程会相当有用。此外，半导体制造设备已知都是每天不停的运转，因此快速的清洗过程相当有用。而且，清洗掩模对制造而言是额外的费用。如果清洗的费用对于更换掩模的费用来说太高，清洗便不会是最经济的方式。在某些情况下，清洗掩模10次直到其为可用可能比更换掩模的费用少，故低费用的清洗过程亦相当有用。
图1为需要清洗的现有掩模的实例示意图。
掩模110有多个孔洞，其经精确设置以在集成电路上所需位置形成传导性凸块。在一种实施例中，掩模110是由高密度元素的钼(molybdenum)所制成。孔洞170以规则排列或非规则间隔方式设置在掩模110的预定位置。在一种实施例中，孔洞170以规则间隔排列的方式设置，在相邻孔洞之间保持间隔S。在某些实施例中，间隔S可能大约为120μm，且每一孔洞直径约为101.6μm。因此，掩模110的清洗相当困难且需精确的操作。
图2为图1中未沉积材料的现有掩模沿线A-A的横断面示意图。图2中所示的掩模110已清除掉先前沉积的材料或未经接触。在一实施方式中，清洗后D1的变化必须在清洗前D1的1％内，或101.6μm+/-1μm。此外，在一可更替的实施方式中，清洗后D1的变化必须在清洗前D1的0.1％内，或101.6μm+/-0.1μm，以使掩模110有几至十次的清洗。如图所示，D2是孔洞的外直径，且在直径的改变上有相似的容差范围。
图3为有沉积材料的现有掩模沿线A-A的横断面示意图。掩模110经设计接触一半导体器件，以图案化(patterning)沉积于半导体器件上的导体。图3并未按尺寸比例绘制，然应可理解掩模110为一相对较薄的盘状板体，其具有多个规律间隔且精确穿设的孔洞。
图3中，层120，130，140及150沉积于掩模110上。层120为一适宜黏附于集成电路的铬(Cr)层。层130为一传导性良好的铜(Cu)层。类似的，层140为传导性良好的金(Au)层。层150为一铅/锡(Pb/Sn)焊层，其与外部导体具有良好的传导性及接合性。
这些层沉积于半导体的背侧，其位置由贯穿掩模110的孔洞所界定，如图2或图3中央所示的孔洞。在一种实施例中，掩模110的孔洞规格为101.6μm宽(以第2图中D1表示)，其容差范围为1％。图4所示为现有掩模110在不适当清洗后沿线A-A的横断面图。由于过度蚀刻，D1’的直径变得太宽，且D2’的直径亦可能太宽，因此掩模110会超出可用于制造过程的预订的容差。此种不适当清洗可能会使掩模110无法使用，亦可能在生产线恢复操作前被迫需制作新的掩模。
通常，半导体制程中的清洗或蚀刻可利用多种材料或溶剂完成，包括各种有机或无机酸和碱性溶液。然而在未做实验的情况下很难去预测所需的蚀刻率，亦即不造成过度蚀刻但仍达到目的(如确实清洗掩模)的合理制程时间。不同酸或碱可与一些金属作适当反应，然却因蚀刻离子与欲清洗金属间的相互作用，而无法与其它金属发生反应。
此外，有时亦会使用辅助蚀刻，尽管辅助蚀刻过程中所增加的能量可能导致更多的高能原子及蚀刻液表面的紊流而使蚀刻液产生腐蚀性蒸汽，及随之增加的气态物质。众所周知，制程里包括使用酸以辅助电解的蚀刻。但不幸的是，这需要谨慎选择蚀刻金属，因为参与金属间的关系可能导致电镀和放热反应。电镀有强化结合并劣化清洗力的风险，而放热反应则会增加安全隐忧。因此，针对特定蚀刻制程选择正确的溶剂类型及正确的辅助方式(如果有)并不容易。

发明内容
本发明提供一种清洗掩模的方法和设备。在一实施例中，本发明为一种清洗掩模的方法。在一些实施例中，本发明包括在蚀刻溶液中放置掩模，并搅动溶液以蚀去沉积在掩模上的材料。在另一些实施例中，本发明包括装有蚀刻溶液的第一容器，容纳该第一容器于第二溶液中的第二容器，及与该第二容器耦接或连接的搅动器。在其它的实施例中，本发明包括将掩模放置于蚀刻溶液中以蚀去沉积在掩模上的材料，并也可包括周期性的擦洗该掩模。
在一实施例中，本发明为一种清洗有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法，其包括将钼掩模置于一包括氢氯酸的清洗溶液内。该方法也包括在一预定时间段后将前述钼掩模从清洗溶液移出。前述钼掩模可以具有一系列通孔。
在另一实施例中，本发明为一清洗掩模的设备。该设备包括具有一开放顶部的第一容器。该设备也包括具有一开放顶部的第二容器，该第二容器容纳该第一容器。该设备还包括一在第二容器内的搅动器。或者，该搅动器也可与该第二容器耦接或接触该第二容器的外部。
在另一实施例中，本发明为一种清洗掩模的方法。该方法包括将掩模放置于一清洗溶液中。该方法亦包括以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
在另一替代实施例中，本发明亦为一种清洗掩模的设备。该设备包括清洗掩模的第一装置。该设备包括支撑掩模的第二装置。该设备也包括一用于搅动该第一装置及该第二装置的第三装置。该设备还包括容纳该第一装置的第四装置。该设备亦包括一环绕该第四装置的第五装置。此外，该设备包括一用于支撑该第五装置及该第三装置的第六装置。
在另一替代实施例中，本发明为一种清洗掩模的方法。该方法包括将掩模置于一容器内。该方法亦包括将该容器置于一清洗溶液内。该清洗溶液置于第一容器中。该第一容器置于第二容器中。该第二容器包括环绕该第一容器的水溶液。
在本发明的另一替代实施例中，本发明为一种清洗有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法。本发明包括放置该钼掩模于清洗溶液中。该方法亦包括在一预定时间段后将钼掩模从该清洗溶液中移出。该方法可更包括以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。前述多种金属包括铬，铜，金和铅/锡化合物。

所附附图包括于说明书中并组成说明书的一部分，表示出了本发明的实施例，并且连同发明内容共同用于阐释本发明。应当了解，这些附图仅用于说明，不应视为对本发明的限制。
图1所示为现有掩模的示例图。
图2所示为图1现有掩模未有材料沉积其上时沿线A-A的横断面示意图。
图3为图1现有掩模有材料沉积其上时沿线A-A的另一横断面示意图。
图4所示为图1现有掩模在材料未适当清洗后沿线A-A的横断面图。
图5所示为一种清洗系统实施例的示意图。
图6所示为沿图5线B-B所作的支撑掩模的晶圆支撑件实施例的示意图。
图7所示为沿图6线C-C的晶圆支撑件实施例的示意图。
图8所示为晶圆支撑件实施例的透视图。
图9所示为清洗掩模过程的一个实施例的流程图。
图10所示为清洗掩模过程的另一实施例流程图。
具体实施例方式
本发明是关于清洗掩模的方法和设备。下文说明中已揭示许多特定细节以供完整了解本发明。然而应可领会的是，本领域技术人员亦可不需此等特定细节而实施本发明。在其它情况下，结构及装置均已绘示于流程图中以避免误解本发明。
在一些实施例中，本发明包括在蚀刻溶液中放置掩模，并搅动溶液以蚀去沉积在掩模上的材料。在另外的实施例中，本发明包括装有蚀刻溶液的第一容器，容纳该第一容器于第二溶液的第二容器，及与该第二容器耦接或连接的搅动器。在其它的实施例中，本发明包括将掩模放置于蚀刻溶液中以蚀去沉积在掩模上的材料，也可以包括周期性的擦洗该掩模。
在一实施例中，本发明包括清洗具有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法。该方法包括将钼掩模放置于一包括氢氯酸的清洗溶液内。该方法也包括在一预定时间段后将前述钼掩模从清洗溶液移出。前述钼掩模具有一系列通孔。
在另一实施例中，本发明为一清洗掩模的设备。该设备包括具有一开放顶部的第一容器。该设备也包括具有一开放顶部的第二容器，该第二容器容纳该第一容器。该设备更包括在第二容器内的搅动器。或者，该搅动器可以与该第二容器耦接或接触该第二容器的外部。
在另一实施例中，本发明为一种清洗掩模的方法。该方法包括放置掩模于一清洗溶液中。该方法亦包括以预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
在另一替代实施例中，本发明为一种清洗掩模的设备。该设备包括清洗掩模的第一装置。该设备包括支撑掩模的第二装置。该设备也包括搅动该第一装置及该第二装置的第三装置。该设备还包括容纳该第一装置的第四装置。该设备亦包括环绕该第四装置的第五装置。此外，该设备包括支撑该第五装置及该第三装置的第六装置。
在另一替代实施例中，本发明为一种清洗掩模的方法。该方法包括将掩模置于一容器内。该方法亦包括将该容器置于清洗溶液内。该清洗溶液置于第一容器中。该第一容器置于第二容器中。该第二容器包括环绕该第一容器的水溶液。
在本发明的另一实施例中，本发明为一种清洗有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法。本发明包括放置该钼掩模于一清洗溶液中。该方法亦包括在一预定时间段后将钼掩模从该清洗溶液中移出。该方法还可以包括以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。前述多种金属包括铬，铜，金和铅/锡化合物。
图5为一种清洗系统的实施例。经过多次实验后，发现掩模110及类似掩模可以利用蚀刻溶液清洗，且辅助蚀刻可能相当有用。第一或内部容器310容纳蚀刻溶液320并以一盖子330覆盖。在内部容器310中放置有晶圆舟340(wafer boat)，且晶圆舟340可支撑例如掩模110的掩模。较佳而言，晶圆舟340可一次装载几个掩模，同时允许掩模表面与液体接触。
内部容器310置于一基座360上，该基座360置于外部或第二容器350的底部。容器350可容纳水溶液370，并以一盖子380覆盖。外部容器350置于搅动器390上，该搅动器390例如可能为一与振动机构连接的平板。因此，蚀刻或清洗溶液320可以搅动器390搅动，其振动并经由容器350，基座360及容器310传递。搅动器390依据振动频率或振动的输出功率调整。
图6为沿图5中线B-B所视的支撑掩模的晶圆支撑件实施例的示意图。该晶圆支撑件410可为，例如，图3中晶圆舟340的一部分。晶圆支撑件410包括突块420，闩部430及铰链部440。在一实施例中，晶圆支撑件410是由特氟纶(Teflon)制成。在一替代实施例中，晶圆支撑件410由高密度聚乙烯制成。前述两种实施例中，晶圆支撑件410可能有适合掩模插入的沟槽(如一V形沟槽)。该等沟槽可能沿晶圆支撑件410的一个或多个内表面，以使掩模包覆可匹配(snug fit)与牢固，防止其弯曲变形。
图7为图6晶圆支撑件实施例沿线C-C的示意图。如图所示，沟槽450为晶圆支撑件410的内表面的一部分。图8为晶圆支撑件实施例的透视图。晶圆支撑件410A(包括突块420A，闩部430A及铰链部440A)与第二晶圆支撑件410B(包括突块420B，闩部430B及铰链部440B)连接。晶圆支撑件410A及410B共同组成如晶圆舟340所示的一整个晶圆舟或晶圆舟的一部分。需要注意的是，晶圆支撑件410的确切形状在维持晶圆支撑件的原则及范围的情况下可以是多变的。
该清洗系统及晶圆支撑件可以多种方式使用。图9为清洗掩模的过程流程图。在方框510处，接收一需要清洗的掩模，例如来自一生产线的掩模。在方框520处，将清洗系统或设备的外部容器填入如去离子水等液体。在方框530处，将该清洗设备的内部容器填入清洗溶液，例如蚀刻溶液，并将该内部容器置于该外部容器内。在方框540处，将掩模置于一容器内，如掩模或晶圆支撑件。在方框550处，将该容器置于该内部容器内，藉以将掩模浸于蚀刻溶液中。在方框560处，覆盖该内部容器，藉以减少蚀刻溶液的挥发和分子逸散。
在方框570处，搅动清洗系统以将能量引入系统，同时潜在的增加蚀刻溶液的蚀刻速度。在一预定时间后，在方框580处，由内部容器移出该容器。在方框590处，以去离子水清洗该掩模。在方框595处，以氮气干燥该掩模。因此，可制得去除先前沉积材料的掩模。
应注意的是，搅动过程并不是必需的。图10为清洗掩模过程的另一替代实施例。在方框610处，接收一需要清洗的掩模，例如来自一生产线的掩模。在方框620处，将清洗系统或设备的外部容器填入如去离子水等液体。在方框630处，将该清洗设备的内部容器填入清洗溶液，例如蚀刻溶液。将该内部容器置于该外部容器内，或可能已经固定于该处。在方框640处，将掩模置于一容器内，如掩模或晶圆支撑件。在方框650处，将该容器置于该内部容器内，藉以将掩模浸于蚀刻溶液中。
在方框655处，覆盖该内部容器，藉以减少蚀刻溶液的挥发和分子逸散。在在一预定时间过后，于方框660处，开启或揭开该内部容器，以允许介入该掩模。在方框665处，将该容器从内部容器移出。在方框670，擦洗掩模，以去除任何已形成的膜层(如一保护膜或钝化膜层)。在方框675处，判定掩模是否被洗净，如果没有，过程返回方框650，并将该容器重新放回该内部容器。
若掩模已洗净，在方框680处，以去离子水清洗掩模。在方框690处，以氮气干燥掩模。因此，可得到去除先前沉积材料的掩模。值得注意的是不同的蚀刻溶液可能需要、或不需要擦洗或搅动，且取决于掩模上沉积的材料，可能有不同的适宜清洗次数。
实施例1在一种实施例中，使用氢氯酸蚀刻溶液(HCI)。并测试重量浓度从约10％到约37％的各种氢氯酸。测试发现，浓度37％的氢氯酸经过搅动尤为有效。以37％的浓度蚀刻并以每加仑液体25W的搅动功率进行20分钟，可以相对最小的掩模损耗(在+/-0.1μm规格内)快速去除其上沉积的材料。掩模损耗以SEM(扫描电子显微镜)检测。
搅动器从约5W/加仑到约50W/加仑的不同功率设置都经过尝试。搅动功率可以使用更高水平，例如100W/加仑。同样的，从几分钟到40分钟或更长的蚀刻时间亦经尝试，从约室温(25℃)到约40℃左右的温度亦经测试。
实施例2在另一替代实施例中，使用氢氯酸蚀刻溶液。重量浓度约37％的氢氯酸被发现最为有效。此实施例未进行搅动。已经发现铅/锡层倾向与氯化物结合形成一不可溶物质，使得掩模需要20分钟以上的时间(其中一例中为20小时)方能达干净的蚀刻。
实施例3在另一实施例中，使用氢氯酸蚀刻溶液。并发现重量浓度37％的氢氯酸最有效。此实施例中并未进行搅拌。已发现铅/锡层倾向与氯化物结合形成不可溶物质，使得掩模需要被重复擦洗以获得干净的蚀刻。整个过程发现需要20分钟以上，但小于20小时。
实施例4在另一实施例中，使用氢氯酸及乙酸蚀刻溶液。已发现在蚀刻溶液总酸中重量浓度99％的氢氯酸最为有效，不过亦有测试重量浓度低至90％(氢氯酸与乙酸为9∶1)的氢氯酸。此实施例中亦未进行搅动。并发现铅/锡层倾向与氯化物结合，使得掩模需要20分钟以上(其中一例中为20小时)方能达干净的蚀刻。
其它实施例其它实施例中尝试了其他不同蚀刻溶液。包括硝酸(HNO3)，磷酸(H2PO4)，氢氟酸(HF)，氢氧化钠(NaOH)，硫酸(H2SO4)及过氧化氢(H2O2)。此外，使用电解(利用掩模和溶液中电极之间的电场)以与多种碱结合使用。这些酸和碱与特定金属结合会产生不同的效果，且某些显示出以不同的金属组合可能相当有用。对于各种酸并测试从约5％到约99.9％等不同重量浓度范围。所测试浓度的某些范围如下表所示

每种酸都已发现有不同程度的效果。应注意的是搅动可以震动频率为函数的方式进行测量或设置，且25-40kHz间的频率已发现尤其有效。同样的，应注意的是晶圆舟可以具有多种形式，且具顶部设计的舟形(boat and top design)及蛤壳形(clamshell)特别具有效果。
由前文应理解的是，以上所述者仅为示例目的的本发明的较佳特定实施例，然亦可在不悖离本发明精神及范围下进行各种变型。某些范例中可参照其它不同实施例中的特征，但该等特征不应视为本发明精神及范围的限制。在本申请附图及说明中，所示的结构均可在本发明精神及范围下采用不同方式形成或组合。同样的，本发明方法亦以流程图方式说明，然该等方法亦可在发明精神及范围下以不同顺序进行或实施。因此，本发明不应受限于所附权利要求范围的内容。
权利要求
1.一种清洗有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法，包括将所述钼掩模置于包括氢氯酸的清洗溶液内；以及在一预定时间段后将所述钼掩模从清洗溶液移出。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括将所述钼掩模置于一容器内；且其中将钼掩模置于清洗溶液内的步骤包括将所述容器放置于清洗溶液中。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括封闭所述容器。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液装于第一容器中；所述第一容器置于第二容器中；以及所述第二容器还装有水溶液并环绕所述第一容器。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括以一盖子覆盖所述第一容器。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括以氮气干燥所述掩模。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括以去离子水清洗所述掩模。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为重量浓度至少为百分之五的氢氯酸溶液。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为重量浓度至少为百分之十五的氢氯酸溶液。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为重量浓度至少为百分之二十五但不超过百分之五十的氢氯酸溶液。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为重量浓度约37％的氢氯酸溶液。
13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预定时间段为至少五分钟但不超过三百分钟。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述预定时间段为至少十分钟但不超过一百分钟。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述预定时间段为至少十五分钟但不超过四十分钟。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述预定时间段为至少二十五分钟但不超过三十分钟。
17.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述搅动水准根据搅动频率量化。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述搅动频率介于18kHz到2MHz之间。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述搅动频率介于20kHz到1MHz之间。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述搅动频率介于20kHz到100kHz之间。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述搅动频率介于25kHz到50kHz之间。
22.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述搅动水准是根据搅动功率量化。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，所述搅动功率介于1W/gal到100W/gal之间。
24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述搅动功率介于2W/gal到50W/gal之间。
25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，所述搅动功率介于5W/gal到40W/gal之间。
26.根据权利要求25所述的方法，其特征在于，所述搅动功率介于10W/gal到30W/gal之间。
27.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，所述搅动功率介于20W/gal到30W/gal之间。
28.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，所述搅动功率约为25W/gal。
29.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定时间段为至少五小时但不超过四十八小时。
30.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钼掩模有一组通孔。
31.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多种金属包括铬，铜，金和铅/锡化合物。
32.一种清洗掩模的方法，包括将掩模置于一清洗溶液内；以及以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
33.根据权利要求32所述的方法，还包括将所述掩模置于一容器内；且其中将掩模置于清洗溶液内的步骤包括放置所述容器于清洗溶液中。
34.根据权利要求33所述的方法，还包括封闭所述容器。
35.根据权利要求34所述的方法，还包括接收所述掩模。
36.根据权利要求32所述的方法，其特征在于，所述掩模为一钼掩模。
37.根据权利要求32所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为一氢氯酸溶液。
38.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液装于第一容器中；所述第一容器置于第二容器内；以及所述第二容器还装有水溶液环绕所述第一容器。
39.根据权利要求38所述的方法，还包括以一盖子覆盖所述第一容器。
40.根据权利要求37所述的方法，还包括以氮气干燥所述掩模。
41.根据权利要求40所述的方法，还包括以去离子水清洗所述掩模。
42.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为重量浓度至少百分之五的氢氯酸溶液。
43.根据权利要求42所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为重量浓度至少百分之十五的氢氯酸溶液。
44.根据权利要求43所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为重量浓度至少百分之二十五但不超过百分之五十的氢氯酸溶液。
45.根据权利要求44所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为重量浓度约37％的氢氯酸。
46.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述预定时间段为至少五分钟但不超过三百分钟。
47.根据权利要求46所述的方法，其特征在于，所述预定时间段为至少十分钟但不超过一百分钟。
48.根据权利要求47所述的方法，其特征在于，所述预定时间段为至少十五分钟但不超过四十分钟。
49.根据权利要求48所述的方法，其特征在于，所述预定时间段为至少二十五分钟但不超过三十分钟。
50.根据权利要求46所述的方法，其特征在于，所述预定时间段为至少十分钟但不超过一百分钟。
51.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述搅动水准根据搅动频率量化。
52.根据权利要求51所述的方法，其特征在于，所述搅动频率介于18kHz到2MHz之间。
53.根据权利要求52所述的方法，其特征在于，所述搅动频率介于20kHz到1MHz之间。
54.根据权利要求53所述的方法，其特征在于，所述搅动频率介于20kHz到100kHz之间。
55.根据权利要求54所述的方法，其特征在于，所述搅动频率介于25kHz到50kHz之间。
56.根据权利要求55所述的方法，其特征在于，所述搅动频率介于25kHz到40kHz之间。
57.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述搅动水准根据搅动功率量化。
58.根据权利要求57所述的方法，其特征在于，所述搅动功率介于1W/gal到100W/gal之间。
59.根据权利要求58所述的方法，其特征在于，所述搅动功率介于2W/gal到50W/gal之间。
60.根据权利要求59所述的方法，其特征在于，所述搅动功率介于5W/gal到40W/gal之间。
61.根据权利要求60所述的方法，其特征在于，所述搅动功率介于10W/gal到30W/gal之间。
62.根据权利要求61所述的方法，其特征在于，所述搅动功率介于20W/gal到30W/gal之间。
63.根据权利要求57所述的方法，其特征在于，所述搅动功率约为25W/gal。
64.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述容器由特氟纶制成。
65.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述容器由实质上不与氢氯酸发生化学反应的材料制成。
66.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述容器由高密度聚乙烯制成。
67.根据权利要求37所述的方法，其特征在于，执行所述方法的环境的温度介于20℃到70℃之间。
68.根据权利要求67所述的方法，其特征在于，执行所述方法的环境的温度介于20℃到50℃之间。
69.根据权利要求68所述的方法，其特征在于，执行所述方法的环境的温度介于25℃到40℃之间。
70.根据权利要求68所述的方法，其特征在于，执行所述方法的环境的温度约为25℃。
71.根据权利要求68所述的方法，其特征在于，执行所述方法的环境的温度约为30℃。
72.根据权利要求68所述的方法，其特征在于，执行所述方法的环境的温度约为40℃。
73.一种清洗掩模的方法，包括将所述掩模置于一容器内；将所述容器放置于一清洗溶液中；且其中所述清洗溶液装于第一容器中；所述第一容器置于第二容器内；以及所述第二容器还装有水溶液环绕所述第一容器。
74.根据权利要求73所述的方法，还包括封闭所述容器。
75.根据权利要求74所述的方法，还包括以一盖子覆盖所述第一容器。
76.根据权利要求75所述的方法，还包括以去离子水清洗所述掩模。
77.根据权利要求76所述的方法，还包括以氮气干燥所述掩模。
78.根据权利要求77所述的方法，还包括接收所述掩模。
79.根据权利要求73所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为氢氯酸溶液。
80.根据权利要求79所述的方法，其特征在于，所述掩模为钼掩模。
81.根据权利要求75所述的方法，还包括搅动所述清洗溶液。
82.一种清洗掩模的设备，包括第一容器，具有一开放顶部；第二容器，具有一开放顶部，且所述第二容器容纳所述第一容器；及搅动器，置于所述第二容器内。
83.根据权利要求82所述的设备，还包括装于所述第二容器内的水溶液；及装于所述第一容器内的清洗溶液。
84.根据权利要求83所述的设备，还包括盖子，可盖住所述第一容器的的开放顶部。
85.根据权利要求83所述的设备，还包括一容器，具有相当惰性，其尺寸适合支撑多个掩模且适合安设于所述第一容器内。
86.根据权利要求85所述的设备，其特征在于，所述容器为蛤壳形。
87.根据权利要求85所述的设备，其特征在于，所述容器包括具有开放顶部的容器及一尺寸适于覆盖所述容器的开放顶部的容器盖子。
88.根据权利要求83所述的设备，其特征在于，所述清洗溶液为酸类溶液。
89.根据权利要求88所述的设备，其特征在于，所述清洗溶液为氢氯酸。
90.根据权利要求83所述的设备，其特征在于，所述清洗溶液为碱类溶液。
91.根据权利要求90所述的设备，其特征在于，所述清洗溶液为氢氧化钠。
92.一种清洗掩模的设备，包括第一装置，用于清洗掩模；第二装置，用以支撑掩模；第三装置，用于搅动所述第一装置及第二装置；第四装置，用于容纳所述第一装置；第五装置，用于环绕所述第四装置；以及第六装置，用于支撑所述第五装置及第三装置。
93.一种清洗有多种金属沉积于其上的钼掩模的方法，包括将所述钼掩模放置于一清洗溶液中；以及在一预定时间段后将所述钼掩模从清洗溶液中移出。
94.根据权利要求93所述的方法，还包括以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
95.根据权利要求94所述的方法，还包括将所述钼掩模置于一容器内；且其中将钼掩模置于清洗溶液内的步骤包括将所述容器放置于所述清洗溶液中。
96.根据权利要求95所述的方法，还包括封闭所述容器。
97.根据权利要求96所述的方法，还包括接收所述掩模。
98.根据权利要求93所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为氢氯酸溶液。
99.根据权利要求98所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液装于第一容器中；所述第一容器置于第二容器内；且所述第二容器还装有水溶液环绕所述第一容器。
100.根据权利要求99所述的方法，还包括以一盖子覆盖所述第一容器。
101.根据权利要求100所述的方法，还包括以氮气干燥所述掩模。
102.根据权利要求101所述的方法，还包括以去离子水清洗所述掩模。
103.根据权利要求98所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为重量浓度至少百分之五的氢氯酸溶液。
104.根据权利要求93所述的方法，其特征在于，所述多种金属包括铬，铜，金和铅/锡化合物。
105.一种清洗钼掩模的方法，其中所述钼掩模上沉积有包括铬，铜，金和铅/锡化合物的多种金属，所述方法包括将所述钼掩模置于一清洗溶液内；以及在一预定时间段后将所述钼掩模从所述清洗溶液移出。
106.根据权利要求105所述的方法，还包括以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
107.根据权利要求106所述的方法，还包括将所述钼掩模置于一容器内；且其中将钼掩模置于清洗溶液内的步骤包括将所述容器放置于清洗溶液中。
108.根据权利要求107所述的方法，还包括接收所述容器。
109.根据权利要求105所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为氢氯酸溶液。
110.根据权利要求109所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液装于第一容器中；所述第一容器置于第二容器内；以及所述第二容器还装有水溶液环绕所述第一容器。
111.根据权利要求110所述的方法，还包括以一盖子覆盖所述第一容器。
112.根据权利要求111所述的方法，还包括以氮气干燥所述掩模。
113.根据权利要求112所述的方法，还包括以去离子水清洗所述掩模。
114.根据权利要求105所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为重量浓度至少百分之五的氢氯酸溶液。
115.根据权利要求113所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为重量浓度至少百分之五的氢氯酸溶液。
全文摘要
本发明涉及一种清洗掩模的设备和方法。该方法包括将掩模置于一清洗溶液内。该方法也包括以一预定搅动水准将清洗溶液搅动一预定时间段。
文档编号C23G1/02GK1882397SQ200480027634
公开日2006年12月20日申请日期2004年7月22日优先权日2003年7月24日
发明者萨曼莎·坦, 王建齐申请人:晶粒精密清理仪器有限公司