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一种红旗兜兰的组培快繁育苗方法与流程

本发明涉及一种红旗兜兰的组培快繁育苗方法,属于组培苗的培育技术领域。

背景技术:

红旗兜兰属(paphiopedilum)植物,花形奇特,花色艳丽,是人们最喜爱的兰科植物之一。近十几年来,由于生态环境破坏等原因,不少种类已经到了灭绝的边缘。为了缓解对野生植株的采集压力,保护濒危物种,以及满足人们对兜兰属植物的需求,国内外学者对兜兰植物的人工繁殖进行了大量地研究。目前,部分兜兰种类的无菌播种和组织培养技术已获成功,但是红旗兜兰在组培过程中发芽率低,种苗生根率低,生长缓慢,成活率低,制约着兜兰的人工繁育。因此,提供一种红旗兜兰的组培快繁育苗方法具有重要意义。

技术实现要素:

本发明要解决的技术问题是:提供一种红旗兜兰的组培快繁育苗方法,以解决红旗兜兰种子发芽率低、种苗生根率低、生长缓慢的问题,加快红旗兜兰种苗的生长繁殖,满足大规模种植红旗兜兰的需要。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的:

一种红旗兜兰的组培快繁育苗方法,包括的步骤有红旗兜兰种子消毒处理、种子萌发培养、原球茎培养、生根培养以及试管苗移栽,所述种子萌发培养采用的培养基为1/2ms+20g/l土豆+20ml/l椰乳+0.1mg/lkt+20g/l蔗糖+0.3mg/l活性炭+6-7g/l琼脂粉,ph值5.5-5.7,暗培养15-30天,培养温度25±1℃。

优选的,所述红旗兜兰种子消毒处理的具体步骤为:(1)首先用肥皂水冲洗,之后用无菌水冲洗;(2)再用0.1%升汞浸泡15分钟,之后用无菌水冲洗;(3)最后用75%酒精泡10分钟,之后用无菌水冲洗。

优选的,所述原球茎培养采用的培养基为1/2ms+20g/l香蕉+0.2mg/lba+20g/l蔗糖+0.3mg/l活性炭+6-7g/l琼脂粉,ph5.5-5.7,光照培养12hr/d,光照强度1500-1200lux,培养温度25±1℃。

优选的,所述生根培养采用的培养基为1/2ms+20g/l香蕉+0.2mg/lnaa+0.1mg/lba+20g/l蔗糖+0.3mg/l活性炭+6-7g/l琼脂粉,ph值5.5-5.7,光照培养12hr/d,光照强度1500-1200lux,培养温度25±1℃。

优选的,所述试管苗移栽的条件为:生根培养60-90天后,再炼苗7-15天,用0.1%百菌清浸泡15盆钟,凉干、移栽,室温10-28℃,空气湿度70%-85%,遮阴60-70%。

与现有技术相比,本发明的有益效果如下:通过本发明的技术方案,在红旗兜兰进行种子萌发培养采用了适于红旗兜兰组培的培养基,在这个阶段的所使用的培养基中添加有土豆以及活性炭成分,土豆成分可以为在对红旗兜兰种子萌发提供丰富的淀粉、蛋白质、粗纤维等营养物质,提高了红旗兜兰种子发芽率和种苗生根率,另外活性炭成分可以为红旗兜兰种子萌发提供暗环境,吸附离体培养中的酚类物质等抑制物,使多酚氧化酶与过氧化物酶失活,防止褐变现象,同时活性炭对高质量浓度的iaa、naa以及ba、kt等也产生吸附作用,从而可以红旗兜兰发芽率高以及后续种苗生根率。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对发明进行进一步介绍:

一种红旗兜兰的组培快繁育苗方法,包括以下步骤:

1、红旗兜兰种子消毒处理:具体步骤为:(1)首先用肥皂水冲洗,之后用无菌水冲洗;(2)再用0.1%升汞浸泡15分钟,之后用无菌水冲洗;(3)最后用75%酒精泡10分钟,之后用无菌水冲洗。

2、种植萌发培养:种子萌发培养采用的培养基为1/2ms+20g/l土豆+20ml/l椰乳+0.1mg/lkt+20g/l蔗糖+0.3mg/l活性炭+6-7g/l琼脂粉,ph值5.5-5.7,暗培养15-30天,培养温度25±1℃。

3、原球茎培养:原球茎培养采用的培养基为1/2ms+20g/l香蕉+0.2mg/lba+20g/l蔗糖+0.3mg/l活性炭+6-7g/l琼脂粉,ph5.5-5.7,光照培养12hr/d,光照强度1500-1200lux,培养温度25±1℃。

4、生根培养:生根培养采用的培养基为1/2ms+20g/l香蕉+0.2mg/lnaa+0.1mg/lba+20g/l蔗糖+0.3mg/l活性炭+6-7g/l琼脂粉,ph值5.5-5.7,光照培养12hr/d,光照强度1500-1200lux,培养温度25±1℃。

5、试管苗移栽:进行试管苗移栽的条件为生根培养60-90天后,再炼苗7-15天,用0.1%百菌清浸泡15盆钟,凉干、移栽,室温10-28℃,空气湿度70%-85%,遮阴60-70%。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种红旗兜兰的组培快繁育苗方法,其步骤有红旗兜兰种子消毒处理、种子萌发培养、原球茎培养、生根培养以及试管苗移栽,种子萌发培养采用的培养基为1/2MS+20g/L土豆+20 ml/L椰乳+0.1mg/LKT+20g/L蔗糖+0.3mg/L 活性炭+6‑7g/L琼脂粉,PH值5.5‑5.7,暗培养15‑30天,培养温度25±1℃。在红旗兜兰进行种子萌发培养采用了适于红旗兜兰组培的培养基,在这个阶段的所使用的培养基中添加有土豆以及活性炭成分,土豆成分可以为在对红旗兜兰种子萌发提供丰富的淀粉、蛋白质、粗纤维等营养物质,提高了红旗兜兰种子发芽率和种苗生根率,另外活性炭成分可以为红旗兜兰种子萌发提供暗环境,吸附离体培养中的抑制物、生长调节物,从而可以红旗兜兰发芽率高以及后续种苗生根率。

技术研发人员:邓克云;邓克兰;刘森银;周丽
受保护的技术使用者:黔西南州绿缘动植物科技开发有限公司
技术研发日:2016.10.26
技术公布日:2018.05.04

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所属分类:花卉
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